[實(shí)用新型]超微晶功率合成電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320239732.7
• 申請(qǐng)日: 2013-05-06
• 公開（公告）號(hào): CN203278750U
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝家祥;譚嘯;陳軍;郭欣;張偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北廣科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H03F1/26
• 分類號(hào): H03F1/26;H03F1/06;H01F27/28
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種超微晶功率合成電路，其特征在于，包括：開關(guān)放大電路、功率合成變壓電路以及負(fù)載電路，其中，

所述超微晶功率合成電路連接于所述開關(guān)放大電路與所述負(fù)載電路之間，用于對(duì)所述開關(guān)放大電路的輸出阻抗進(jìn)行阻抗變換和噪聲隔離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超微晶功率合成電路，其特征在于，所述功率合成變壓電路包括多個(gè)功率合成變壓器，所述開關(guān)放大電路包括多個(gè)開關(guān)放大器，其中，

每個(gè)所述開關(guān)放大器的輸出端分別與一個(gè)所述功率合成變壓器的輸入端連接；

所有所述功率合成變壓器的輸出端的接線端子依次首尾相接，第一個(gè)所述功率合成變壓器的輸出端的第一接線端子與所述負(fù)載電路的第一輸入端連接，最后一個(gè)所述功率合成變壓器的輸出端的第一接線端子與所述負(fù)載電路的第二輸入端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超微晶功率合成電路，其特征在于，每個(gè)所述功率合成變壓器分別包括：第一變壓器和隔直電容電路，其中，

所述隔直電容電路的第一端作為所述功率合成變壓器的輸入端的第一接線端子，其另一端與所述第一變壓器的初級(jí)繞組的第一接線端子連接，所述第一變壓器的初級(jí)繞組的第二接線端子作為所述功率合成變壓器的輸入端的第二接線端子；

所述第一變壓器的次級(jí)繞組的第一接線端子作為所述功率合成變壓器的輸出端的第一接線端子，所述第一變壓器的次級(jí)繞組的第二接線端子作為所述功率合成變壓器的輸出端的第二接線端子；

每個(gè)所述開關(guān)放大器的輸出端的第一接線端子與對(duì)應(yīng)的所述功率合成變壓器的輸入端的第一接線端子連接，每個(gè)所述開關(guān)放大器的輸出端的第二接線端子與對(duì)應(yīng)的所述功率合成變壓器的輸入端的第二接線端子連接；

所有所述第一變壓器的次級(jí)繞組的接線端子依次首尾相接，第一個(gè)所述第一變壓器的次級(jí)繞組的第一接線端子與所述負(fù)載電路的第一輸入端連接，最后一個(gè)所述第一變壓器的次級(jí)繞組的第一接線端子與所述負(fù)載電路的第二輸入端連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超微晶功率合成電路，其特征在于，所述隔直電容電路包括：隔直流電容器。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超微晶功率合成電路，其特征在于，所述第一變壓器的所述初級(jí)繞組和所述次級(jí)繞組的繞線為單層繞制，所述第一變壓器的所述初級(jí)繞組和所述次級(jí)繞組的繞線均沿所述第一變壓器的磁芯均勻繞制。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超微晶功率合成電路，其特征在于，所述第一變壓器的所述初級(jí)繞組的第一繞線和所述次級(jí)繞組的第二繞線之間通過(guò)絕緣骨架進(jìn)行絕緣隔離。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超微晶功率合成電路，其特征在于，所述第一變壓器的磁芯包括超微晶罐形磁芯。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超微晶功率合成電路，其特征在于，所述第一變壓器的磁芯包括超微晶環(huán)形磁芯。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超微晶功率合成電路，其特征在于，所述第一變壓器的磁芯包括超微晶U型磁芯。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超微晶功率合成電路，其特征在于，所述第一變壓器的磁芯包括超微晶E型磁芯。