[實用新型]一種連續(xù)式擴散爐爐管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320239479.5 | 申請日: | 2013-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN203250728U | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陸利新;鄭榮豪;陳榮蓮 | 申請(專利權(quán))人: | 上海煦康電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 200233 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 連續(xù) 擴散 爐管 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種連續(xù)式擴散爐爐管。
背景技術(shù)
半導體器件及集成電路的制造是在硅片上進行一系列復雜的化學或物理操作。爐體設備在半導體器件及集成電路的制造過程中起著至關(guān)重要的作用。爐體設備通常被用于熱生長氧化物,如柵氧的形成;離子注入后硅表面的熱退火,薄膜的沉積等。
在目前的連續(xù)式擴散爐中,大多采用槳葉將載有硅片的石英舟運送至擴散爐內(nèi)。對于連續(xù)式擴散爐,載送硅片的槳葉只是一端固定,固定端在電機的作用下,滑動于導軌上,使槳葉進出石英爐管。但是在載有硅片的槳葉進出爐管的過程中,槳葉始終處于懸臂梁狀態(tài),產(chǎn)生較大的撓度,嚴重影響了槳葉的使用壽命。尤其用于載入硅片的槳葉,在運送硅片至恒溫區(qū)時,需要長時間停止在爐管內(nèi),產(chǎn)生的撓度更大,使用壽命大大縮短。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種連續(xù)式擴散爐爐管,以解決用于裝載硅片的槳葉撓度較大的問題。
為解決上述技術(shù)問題,本實用新型提供一種連續(xù)式擴散爐爐管,包括:爐體;以及與爐體內(nèi)腔壁一體成型的兩排托架,兩排所述托架之間具有高度差。
可選的,每排托架包括若干桿狀石英架。
可選的,相鄰所述托架之間的距離相等。
可選的,載有硅片的槳葉停在所述爐管恒溫區(qū)內(nèi)時,所述槳葉的固定端遠離靠近所述爐體端面的所述托架。
本實用新型提供的連續(xù)式擴散爐爐管,由于設置了與爐體內(nèi)腔壁一體成型的兩排托架,使載有硅片的槳葉在運行的過程中避免產(chǎn)生撓度,有效地延長了槳葉的使用壽命,并且兩排托架之間具有的高度差能夠使槳葉之間進行平穩(wěn)交接。
附圖說明
圖1是本實用新型實施例的連續(xù)式擴散爐爐管的立體剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2a-2f是本實用新型實施例的托架進出連續(xù)式擴散爐爐管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型提出的連續(xù)式擴散爐爐管作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書,本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。
本實用新型的核心思想在于,本實用新型提供的連續(xù)式擴散爐爐管,由于設置了與爐體內(nèi)腔壁一體成型的兩排托架,使載有硅片的槳葉在運行的過程中避免產(chǎn)生撓度,有效地延長了槳葉的使用壽命,并且兩排托架之間具有的高度差能夠使槳葉之間進行平穩(wěn)交接。
圖1是本實用新型實施例的連續(xù)式擴散爐爐管的立體剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖1,本實用新型提供一種連續(xù)式擴散爐爐管,包括:爐體11;以及與爐體內(nèi)腔壁一體成型的兩排托架12,兩排所述托架12之間具有高度差。
在本實施例中,每排托架12包括若干桿狀石英架,以使載有硅片的槳葉能夠平穩(wěn)地在爐體11內(nèi)運行。進一步地,相鄰所述托架12之間的距離相等。
在本實施例中,載有硅片的槳葉停在所述爐管恒溫區(qū)內(nèi)時,所述槳葉的固定端遠離靠近所述爐體端面的所述托架12,一防止槳葉固定端在運行過程中與托架12相碰。
圖2a-2f是本實用新型實施例的托架進出連續(xù)式擴散爐爐管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖2a-2f,在本實施例中,為了將兩排托架進行區(qū)分,將托架12分為放置載入槳葉21的第一托架121,以及放置載出槳葉22的第二托架122。載入槳葉21在進入爐體11之前,被外圍托架23托住。載入槳葉21放置盛有硅片24的石英舟25,而后載入槳葉21沿著導軌進入爐體11內(nèi),載入槳葉21在第一托架121上滑行。當?shù)竭_爐體11恒溫區(qū)時,載入槳葉21停止,硅片24在爐體11內(nèi)反應,此時載入槳葉21的前段相當于一段較短的懸壁梁,由于槳葉為SIC材料,而基于SIC材料的槳葉抗彎強度高,此段產(chǎn)生的撓度基本上可忽略不計。反應完成后,爐體11另一側(cè)的載出槳葉22沿著第二托架122進入爐體11內(nèi),到一定的位置后上升并托起石英舟25,此過程的交接避免了撓度對平穩(wěn)性的影響。然后,載入槳葉21退出爐體11,準備下一次載石英舟25進爐體11。此時,載出槳葉22下降到與第二托架122接觸,并沿著第二托架122,載著反應完成的硅片24退出爐體11。整個過程載入槳葉21產(chǎn)生的撓度很小,可忽略不計;載出槳葉22在交接上升后產(chǎn)生一定的撓度,然而這段時間很短,也可忽略不計。因此本實用新型能夠很大程度上延長槳葉的使用壽命,并且有利于載入槳葉21與載出槳葉22的平穩(wěn)交接。
上述描述僅是對本實用新型較佳實施例的描述,并非對本實用新型范圍的任何限定,本實用新型領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾,均屬于權(quán)利要求書的保護范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





