[實用新型]芯片倒裝式發光二極管有效
| 申請號： | 201320236051.5 | 申請日： | 2013-05-03 |
| 公開（公告）號： | CN203325971U | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發明（設計）人： | 黃世耀;陳嘉延;甘明吉;宋健民 | 申請（專利權）人： | 錸鉆科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/62 | 分類號： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 梁愛榮 |
| 地址： | 中國臺灣新*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 倒裝 發光二極管 | ||
1.一種芯片倒裝式發光二極管，其特征在于包括：
一電路載板，其包括有一基板、一絕緣層及一導電層，其中，該絕緣層設置于該基板上，該導電層設置于該絕緣層上，且該導電層具有一線路層及一蝕刻層；
一焊接層，設置于該線路層上；以及
一芯片倒裝式發光二極管芯片，設置于該焊接層上，并電性連接至該電路載板。
2.如權利要求書1所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，該導電層包括一芯片覆蓋區；以及一線路裸露區。
3.如權利要求書2所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，在該芯片覆蓋區中，該線路層面積占該導電層面積的20％至50％。
4.如權利要求書2所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，在該線路裸露區中，該線路層面積占該導電層面積的50％至80％。
5.如權利要求書1所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，該蝕刻層為多個蝕刻凹槽。
6.如權利要求書5所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，該這些蝕刻凹槽的形狀為長條形、橢圓形、正方形、圓形、梯形、或其組合。
7.如權利要求書5所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，該這些蝕刻凹槽為一不連續蝕刻凹槽，或該些蝕刻凹槽為一連續蝕刻凹槽。
8.如權利要求書1所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，該焊接層的厚度為1微米至50微米。
9.如權利要求書1所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，該線路層具有一粗糙化的表面。
10.如權利要求書1所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，該線路層具有一正電電性及一負電電性。
11.如權利要求書1所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，該芯片倒裝式發光二極管芯片包括：一芯片基板；一半導體外延層，其設置于該芯片基板底部，且該半導體外延層含有一P型半導體外延層、一活性中間層及一N型半導體外延層。
12.如權利要求書11所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，該P型半導體外延層通過該焊接層以電性連接至具有正電電性的該線路層。
13.如權利要求書11所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，該N型半導體外延層是通過該焊接層以電性連接至具有負電電性的該線路層。
14.如權利要求書1所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，該絕緣層為一樹脂材料、一陶瓷材料、一碳質材料、或一導熱膠。
15.如權利要求書14所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，該絕緣層為樹脂材料。
16.如權利要求書1所述的芯片倒裝式發光二極管，其特征在于，該基板為一金屬基板、一陶瓷基板、或一硅基板。
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