[實(shí)用新型]一種C波段高頻頭

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320228274.7
• 申請(qǐng)日: 2013-04-28
• 公開（公告）號(hào): CN203279020U
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市高巨電子有限公司
• 主分類號(hào): H04N5/50
• 分類號(hào): H04N5/50;H04N7/20
• 代理公司: 廣州科粵專利商標(biāo)代理有限公司 44001
• 代理人: 黃培智

1.一種C波段高頻頭，其特征在于，包括饋源、導(dǎo)波管、電路板盒、電路板及接頭，所述導(dǎo)波管連接在所述饋源和所述電路板盒之間，所述電路板設(shè)置在所述電路板盒內(nèi)，所述接頭設(shè)在電路板盒上，所述電路板上設(shè)有RDA3570控制芯片和分別與其連接的高頻放大模塊、中頻輸出模塊、穩(wěn)壓模塊及晶振鎖相模塊；?

其中，所述晶振鎖相模塊包括晶振、第十電容（C10）和第十一電容（C11），所述晶振連接在所述控制芯片的xtal1腳和xtal2腳之間，所述第十電容（C10）的一端連接在所述晶振的一端，所述第十一電容（C11）的一端連接在所述晶振的另一端，所述第十電容（C10）和所述第十一電容（C11）的另一端均接地；?

所述高頻放大模塊接收的衛(wèi)星信號(hào)經(jīng)所述控制芯片處理后通過所述中頻輸出模塊輸出，其中，所述控制芯片將所述衛(wèi)星信號(hào)轉(zhuǎn)換為輸出信號(hào)，并在該輸出信號(hào)輸出之前比較其與參考輸入信號(hào)之間的頻率和相位差別并通過所述控制晶振鎖相模塊產(chǎn)生相匹配的本振頻率對(duì)所述輸出信號(hào)進(jìn)行調(diào)整，直至所述輸出信號(hào)的頻率和相位與所述參考輸入信號(hào)同步并保持一致后，再將所述輸出信號(hào)傳輸至所述中頻輸出模塊并由所述中頻輸出模塊輸出。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的C波段高頻頭，其特征在于，所述高頻放大模塊包括第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Q1）、第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Q2）和第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Q3），所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Q1）的柵極G1通過所述導(dǎo)波管接一路射頻?信號(hào)，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Q1）的源極S1串第六電容（C6）后接第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Q3）的柵極G3，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Q1）的漏極D1接地；所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Q2）的柵極G2通過所述導(dǎo)波管接另一路射頻信號(hào)，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Q2）的源極S2串第五電容（C5）后接第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Q3）的柵極G3，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Q2）的漏極D2接地；所述第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Q3）的源極S3和所述控制芯片RFIN腳連接，其漏極D3接地。?

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的C波段高頻頭，其特征在于，所述中頻輸出模塊包括第十二電容（R12），所述第十二電容（R12）的一端接所述控制芯片的IFout腳，其另一端和所述接頭連接。?

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的C波段高頻頭，其特征在于，所述電路板上還設(shè)有濾波模塊，所述濾波模塊一端與所述高頻放大模塊連接，其另一端通過第九電容（C9）和所述控制芯片的RFIN腳連接。?

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的C波段高頻頭，其特征在于，所述穩(wěn)壓模塊包括三端穩(wěn)壓管、第十三電容（C13）和第十四電容（C14），所述三端穩(wěn)壓管第一端（a）串所述第十三電容（C13）后接地，其第二端（b）串所述第十四電容（C14）后接地，其第三端（c）接地。?