[實用新型]雙全橋注入鎖相功率合成霓虹燈

有效

• 申請號: 201320227523.0
• 申請日: 2013-04-15
• 公開（公告）號: CN203181355U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 阮樹成;梅玉剛
• 申請（專利權）人: 梅玉剛
• 主分類號: H05B41/285
• 分類號: H05B41/285
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種雙全橋注入鎖相功率合成霓虹燈，包括電源濾波器EMI、整流橋堆、霓虹燈管，其特征在于：還包括功率因數校正APFC、基準晶振、分頻器、兩個自振蕩芯片、全橋逆變器A、全橋逆變器B、相加耦合器、整流電路、燈管異常電流檢測器，其中，基準晶振由石英晶體諧振器、兩個反相器及電阻、電容組成，第一個反相器輸入與輸出兩端跨接偏置電阻，并分別并接接地電容，同時，還跨接串聯微調電容的石英晶體諧振器，基準晶振輸出信號經第二個反相器接入分頻器，自振蕩芯片內含振蕩器、全橋逆變驅動電路，兩個自振蕩芯片振蕩器共接電阻R₁₁、電容C₁₄同步振蕩，輸出分別經全橋逆變驅動電路連接均由四個功率MOS場效應管兩組互補半橋合成的全橋逆變器A、全橋逆變器B，自振蕩芯片及全橋逆變器A輸出功率變壓器T₁與自振蕩芯片及全橋逆變器B輸出功率變壓器T₂反相饋入相加耦合器功率合成、升壓經整流電路接入霓虹燈管，基準晶振信號經分頻器注入兩個自振蕩芯片EXO端鎖定相位，燈管異常電流檢測器信號經三極管接入兩個自振蕩芯片SD端，控制振蕩快速停振關斷全橋逆變器功率MOS場效應管，電網電源經電源濾波器EMI、整流橋堆至功率因數校正APFC接入基準晶振、分頻器、自振蕩芯片及全橋逆變器A和自振蕩芯片及全橋逆變器B的電源端。

2.根據權利要求1所述的雙全橋注入鎖相功率合成霓虹燈，其特征在于：整流電路由高頻高壓橋堆VD₁₄～VD₁₇接入相加耦合器T₄電感L₁₁，整流輸出接入霓虹燈管一端，霓虹燈管另一端穿過燈電流檢測互感磁環接地，電感L₁₂接二極管VD₁₃檢波，電容C₁₉、電阻R₁₅濾波經電阻R₁₂、R₁₃分壓、三極管觸發兩個自振蕩芯片燈故障保護控制端SD。

3.根據權利要求1所述的雙全橋注入鎖相功率合成霓虹燈，其特征在于：功率因數校正APFC由芯片IC₄、大功率MOS場效應管Q₅、升壓二極管VD₁₂、磁性變壓器T₁及電阻、電容組成，整流橋堆輸出經磁性變壓器T₁電感L₃接Q₅漏極、升壓二極管VD₁₂至電容C₁₁作為APFC輸出，二極管VD₁₁供C₁₁預充電，電阻R₄接整流橋堆輸出引入芯片IC₄電源端，并與磁性變壓器T₁電感L₄經二極管VD₅檢波電壓為芯片IC₄控制門限開啟，電阻R₂、R₃接整流橋堆輸出分壓取樣接入芯片IC₄乘法器一端，乘法器另一端接電阻R₈、R₉分壓取樣輸出電壓，乘法器輸出與Q₅源極接地電阻點連接峰值電流檢測比較器，芯片IC₄輸出接Q₅柵極，磁性變壓器T₁電感L₅高頻電壓由二極管VD_6～9整流、二極管VD₁₀穩壓、電容C₁₂濾波接基準晶振、分頻器電源端。