[實用新型]雙半橋注入鎖相功率合成高壓鈉燈

有效

• 申請號: 201320227489.7
• 申請日: 2013-04-15
• 公開（公告）號: CN203181370U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 阮樹成;阮雪芬
• 申請（專利權）人: 阮雪芬
• 主分類號: H05B41/292
• 分類號: H05B41/292
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種雙半橋注入鎖相功率合成高壓鈉燈，包括包括電源濾波器EMI、整流橋堆、高壓鈉燈管，其特征在于：還包括功率因數校正APFC、基準晶振、分頻器、兩個自振蕩芯片、半橋逆變器A、半橋逆變器B、相加耦合器、調頻信號發生器、燈管觸發電路、燈管異常電流檢測器，其中，基準晶振由石英晶體諧振器、兩個反相器及電阻、電容組成，第一個反相器輸入與輸出兩端跨接偏置電阻，并分別并接接地電容，同時，還跨接串聯微調電容的石英晶體諧振器，基準晶振輸出信號經第二個反相器接入分頻器，自振蕩芯片內含RC振蕩器、半橋逆變驅動電路，兩個自振蕩芯片RC振蕩器共接電阻R₄和電容C₅同步振蕩，輸出分別經半橋逆變驅動電路連接均由兩個功率MOS場效應管互補組成的半橋逆變器A、半橋逆變器B，自振蕩芯片及半橋逆變器A輸出功率變壓器T₁與自振蕩芯片及半橋逆變器B輸出功率變壓器T₂饋入相加耦合器，功率合成接燈管觸發電路引燃高壓鈉燈啟輝，基準晶振信號經分頻器注入兩個自振蕩芯片RC振蕩器C_T端鎖定相位，調頻信號發生器三角波信號接入兩個自振蕩芯片RC振蕩器R_T端調頻抑制燈光閃爍，燈管異常電流檢測器信號經電阻三極管接兩個自振蕩芯片RC振蕩器C_T端控制振蕩快速關斷，電網電源經電源濾波器EMI、整流橋堆、功率因數校正APFC輸出電壓接基準晶振、分頻器、調頻信號發生器、自振蕩芯片及半橋逆變器A、自振蕩芯片及半橋逆變器B電源端。

2.根據權利要求1所述的雙半橋注入鎖相功率合成高壓鈉燈，其特征在于：調頻信號發生器由時基芯片IC₆、電阻R₂₂、R₂₃、R₂₄和電容C₂₄多諧振蕩，IC₆的DIS端由電阻R₂₁接場管Q₄柵極，電容C₂₆接Q₄源極電阻R₂₀自舉正反饋，輸出線性鋸齒波信號，接入兩個自振蕩芯片RC端調頻抑制燈光閃爍。

3.根據權利要求1所述的雙半橋注入鎖相功率合成高壓鈉燈，其特征在于：燈管觸發電路由燈管一端經脈沖點火變壓器T₅電感L₁₃、電容C₂₀接相加耦合器T₄電感L₁₁，電容C₂₀與電感L₁₃接點并接電阻R₁₈，T₅電感L₁₂接接地電容C₂₁，雙向觸發二極管VD₁₆串聯T₅電感L₁₂接地，直流高壓發生器由芯片IC₆振蕩輸出方波經變壓器T₆電感L₁₅，由電感L₁₆升壓、二極管VD₁₇整流電容C₂₈、電阻R₂₆濾波，經電阻R₁₉接電容C₂₀與T₅電感L₁₃接點，燈管另一端穿過燈異常檢測電流互感磁環電感L₁₄接地，由二極管VD₁₅檢波、電容C₂₂電阻R₂₇濾波，經電阻R₁₅、R₁₆分壓、三極管VT₁接兩個自振蕩芯片RC振蕩器C_T端。

4.根據權利要求1所述的雙半橋注入鎖相功率合成高壓鈉燈，其特征在于：功率因數校正APFC由整流橋堆VD_1～4輸出經磁性變壓器T₁電感L₃接Q₁漏極、升壓二極管VD₁₁至電容C₁₁作為功率因數校正APFC輸出，電阻R₄接整流橋堆輸出引入芯片IC₄電源端，并與磁性變壓器T₁電感L₄經二極管VD₅檢波電壓為芯片IC₄控制門限開啟，電阻R₂、R₃接整流橋堆輸出分壓取樣接入芯片IC₄乘法器一端，乘法器另一端接電阻R₈、R₉分壓取樣輸出電壓，乘法器輸出與Q₁源極接地電阻點連接峰值電流檢測比較器，芯片IC₄輸出接Q₁柵極，磁性變壓器T₁電感L₅高頻電壓由二極管VD_6～9整流、二極管VD₁₀穩壓、電容C₁₂濾波接基準晶振、分頻器電源端。