[實用新型]一種頂發光OLED器件的薄膜封裝結構有效
| 申請號: | 201320224024.6 | 申請日: | 2013-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN203242670U | 公開(公告)日: | 2013-10-16 |
| 發明(設計)人: | 高娟;高昕偉;唐凡;鄒成;陳珉 | 申請(專利權)人: | 四川虹視顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 周永宏 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光 oled 器件 薄膜 封裝 結構 | ||
技術領域
本實用新型屬于顯示器領域,具體涉及一種頂發光OLED器件的薄膜封裝結構。
背景技術
OLED具有主動發光、電壓需求低、省電等特點,加上反應快、重量輕、厚度薄、構造簡單、成本低廉等優點,具備LCD不可比擬的優勢,正逐漸進入主流顯示市場。
目前的OLED器件,其白光一般是通過兩基色或三基色混合而得,一般都采用的是多重發光層(multiple?emissive?layers)、多摻雜發光層(multiple?dopants?emissive?layers)結構,它們都存在因各發光層之間的接觸界面、接觸勢壘及各個發光層之間的發光衰減不同而造成器件效率與壽命的大幅度衰減等問題。
薄膜封裝有多種,目前使用較多的是離子化學氣相沉積(PECVD)和濺射鍍膜等物理沉積法,一方面它們的制備工藝溫度比較高,高出了OLED器件的承受范圍;另一方面等離子體和濺射粒子對有機材料或金屬電極有非常大的損傷,而目前的封裝技術暫時無法解決這個問題。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服現有技術中的上述問題,提供一種結構簡單、壽命較長、光色更純且對電極及發光層具有保護作用的頂發射OLED器件的薄膜封裝結構。
為解決上述技術問題,本實用新型采用以下技術方案:
一種頂發光OLED器件的薄膜封裝結構,包括基板和依次疊加在基板上的反射陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、半透明陰極和薄膜封裝層,還包括封裝緩沖層,所述封裝緩沖層設置于半透明陰極與薄膜封裝層之間。
進一步地,所述封裝緩沖層為發紅光、綠光、藍光或黃光的有機小分子類熒光發光材料。
進一步地,所述發紅光的熒光發光材料為香豆素、芳香族化合物及其衍生物。
進一步地,所述發紅光的熒光發光材料為DCJ、DCJT、DCJTB、ER-53,DCM、TDCM、TIN、MBIN、DCM2、DCJTI、(PPA)(PSA)Pe、ACEN1、ACEN2、ACEN3、ACEN4、D-CN、NPAFN、BSN、BZTA2,TPZ、NPAMLMe、DPP、PAAA、asym-TPP、DMPDPP和DBP。
進一步地,所述發綠光的熒光發光材料為香豆素衍生物、喹吖啶酮及其衍生物、多環芳香族碳氫化合物及其衍生物、1H-pyrazolo[3,4-b]quinoxaline類的綠光熒光摻雜物。
進一步地,所述發綠光的熒光發光材料為TPBA、QA、DMQA、DEQ、PAH、PAQ-Net。
進一步地,所述發藍光的熒光發光材料為TBP、TPP、DSA、DSA-Ph、BD-1、BD-2、BD-3。
進一步地,所述發黃光的熒光發光材料為DCJP、Rubrene、DPPO。
進一步地,所述封裝緩沖層的厚度為1-10nm。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:
首先,所述頂發光OLED器件的薄膜封裝結構所設置的封裝緩沖層吸收來自頂發射OLED器件發光層的第一光譜的光并發射出第二光譜的光,對OLED器件的發光進行微調,一方面保證器件具有高的色純度,保證器件整體的色度的質量;另一方面,對于發白光OLED器件,基于這種微調作用,采用單層發光層與本發明所述封裝緩沖層配合即可達到傳統多重發光層、多摻雜發光層結構的發光效果,避免了多發光層因不同發光材料的衰減不同而造成的器件在工作一段時間后的色坐標偏移較大及發光效率、壽命較短等問題,而且簡化了生產工藝,降低生產成本;
其次,該封裝緩沖層減少了薄膜封裝時等離子體和濺射粒子對電極及發光層的損傷,提高良品率;
本實用新型所述頂發光OLED器件的薄膜封裝結構及其制備方法,原理簡單,操作方便,便于在業內推廣使用。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例中頂發光OLED器件的薄膜封裝結構示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。
實施例1
本實施例中的頂發光OLED器件的薄膜封裝結構,如圖1所述,包括基板1和依次疊加在基板1上的反射陽極2、空穴傳輸層3、發光層4、電子傳輸層5、半透明陰極6和薄膜封裝層8,還包括封裝緩沖層7,所述封裝緩沖層7設置于半透明陰極6和薄膜封裝層8之間。
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





