[實用新型]用于測量雙極晶體管結電容的雙極晶體管陣列結構有效
| 申請號： | 201320221554.5 | 申請日： | 2013-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN203553109U | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發明（設計）人： | 郭奧;任錚;胡少堅;周偉 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 測量 雙極晶體管 電容 陣列 結構 | ||
1.一種用于測量雙極晶體管結電容的雙極晶體管陣列結構，其特征在于，包括多個尺寸相同且并聯的雙極晶體管，各所述雙極晶體管的基極并聯耦接于第一測試節點、集電極并聯耦接于第二測試節點、發射極并聯耦接于第三測試節點，通過所述第一測試節點和所述第二測試節點測量所述雙極晶體管陣列的基極-集電極結電容以獲得每個雙極晶體管的基極-集電極結電容，通過所述第二測試節點和所述第三測試節點測量所述雙極晶體管陣列的基極-發射極結電容以獲得每個雙極晶體管的基極-發射極結電容。?
2.根據權利要求1所述的雙極晶體管陣列結構，其特征在于，每一所述雙極晶體管的基極、集電極和發射極均通過接觸孔由金屬連線分別從基區、集電區和發射區引出，以耦接于所述第一測試節點、第二測試節點和第三測試節點。?
3.根據權利要求2所述的雙極晶體管陣列結構，其特征在于，每一所述雙極晶體管的集電區環繞所述基區，所述基區環繞所述發射區，所述雙極晶體管陣列中至少兩個雙極晶體管的集電極從相同的集電區引出。?
4.根據權利要求3所述的雙極晶體管陣列結構，其特征在于，所述雙極晶體管陣列中相鄰的所述雙極晶體管的集電極從相同的集電區引出，所述集電區在每一所述雙極晶體管的基區外環繞一圈。?
5.根據權利要求2所述的雙極晶體管陣列結構，其特征在于，所述雙極晶體管陣列中全部的所述雙極晶體管的集電極從同一個集電區引出，所述集電區在所述雙極晶體管陣列的基區外環繞一圈，所述雙極晶體管陣列中相鄰的所述雙極晶體管的基區之間通過隔離區隔開。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
