[實(shí)用新型]用于移動(dòng)硬盤的靜電保護(hù)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320221429.4
• 申請(qǐng)日: 2013-04-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203205064U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃友華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都市宏山科技有限公司
• 主分類號(hào): G11B33/12
• 分類號(hào): G11B33/12
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種靜電保護(hù)器，更具體的說(shuō)是涉及一種用于移動(dòng)硬盤的靜電保護(hù)器。

背景技術(shù)

移動(dòng)硬盤作為信息存儲(chǔ)的媒介之一，在現(xiàn)代社會(huì)其的作用越來(lái)越大。數(shù)據(jù)安全一直是移動(dòng)存儲(chǔ)用戶最為關(guān)心的問(wèn)題，也是人們衡量該類產(chǎn)品性能好壞的一個(gè)重要標(biāo)準(zhǔn)。移動(dòng)硬盤以高速、大容量、輕巧便捷等優(yōu)點(diǎn)贏得許多用戶的青睞，而更大的優(yōu)點(diǎn)還在于其存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的安全可靠性。移動(dòng)硬盤的內(nèi)部集成有許多電子元器件，靜電對(duì)其有很大的殺傷力，導(dǎo)致內(nèi)部數(shù)據(jù)的丟失，這將給人們帶來(lái)嚴(yán)重的損失。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提供一種用于移動(dòng)硬盤的靜電保護(hù)器，其能將靜電釋放掉，避免靜電對(duì)移動(dòng)硬盤內(nèi)的電子元器件造成破壞，以提高移動(dòng)硬盤內(nèi)的數(shù)據(jù)的安全性。

為解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

用于移動(dòng)硬盤的靜電保護(hù)器，它包括保護(hù)器外殼和位于保護(hù)器外殼內(nèi)的靜電保護(hù)電路，所述的靜電保護(hù)電路包括二極管D1和二極管D2，所述的二極管D1的正極與二極管D2的負(fù)極相連，所述的二極管D1的負(fù)極連接在VDD上，所述的二極管D2的正極接地，還包括N型場(chǎng)效應(yīng)管，所述的N型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接在VDD上，柵極和源極相連且同時(shí)接地。

更進(jìn)一步的技術(shù)方案是:

所述的靜電保護(hù)電路還包括電阻R,所述的電阻R的一端連接在二極管D1和二極管D2之間。

所述的電阻R的另一端連接有IO端口，且電阻R連接在二極管D1和二極管D2之間的一端連接有內(nèi)部電路接口。

所述的電阻R的阻值范圍為5000歐姆—8000歐姆。

在本實(shí)用新型中，移動(dòng)硬盤的IO端口連接在電阻R上，移動(dòng)硬盤的內(nèi)部電路通過(guò)內(nèi)部電路接口連接在該靜電保護(hù)器上。當(dāng)有靜電產(chǎn)生時(shí)，電阻R對(duì)內(nèi)部電路進(jìn)行限流，防止破壞內(nèi)部電路。該景點(diǎn)保護(hù)器提供多條靜電泄放電路：VDD到IO端口、IO端口到VDD，地線到IO端口，IO端口到地線。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本靜電保護(hù)器能將移動(dòng)硬盤的靜電泄放掉，避免靜電對(duì)移動(dòng)硬盤的內(nèi)部電路造成傷害，提高移動(dòng)硬盤內(nèi)部的安全性。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。本實(shí)用新型的實(shí)施方式包括但不限于下列實(shí)施例。

[實(shí)施例]

如圖1所示的用于移動(dòng)硬盤的靜電保護(hù)器，它包括保護(hù)器外殼和位于保護(hù)器外殼內(nèi)的靜電保護(hù)電路，所述的靜電保護(hù)電路包括二極管D1和二極管D2，所述的二極管D1的正極與二極管D2的負(fù)極相連，所述的二極管D1的負(fù)極連接在VDD上，所述的二極管D2的正極接地，還包括N型場(chǎng)效應(yīng)管，所述的N型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接在VDD上，柵極和源極相連且同時(shí)接地。

所述的靜電保護(hù)電路還包括電阻R,所述的電阻R的一端連接在二極管D1和二極管D2之間。

所述的電阻R的另一端連接有IO端口，且電阻R連接在二極管D1和二極管D2之間的一端連接有內(nèi)部電路接口。

所述的電阻R的阻值范圍為5000歐姆—8000歐姆。

如上所述即為本實(shí)用新型的實(shí)施例。本實(shí)用新型不局限于上述實(shí)施方式，任何人應(yīng)該得知在本實(shí)用新型的啟示下做出的結(jié)構(gòu)變化，凡是與本實(shí)用新型具有相同或相近的技術(shù)方案，均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。