[實(shí)用新型]應(yīng)用于高壓環(huán)境的雷電防護(hù)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320221396.3
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN203205863U
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃友華
• 申請（專利權(quán)）人: 成都市宏山科技有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.應(yīng)用于高壓環(huán)境的雷電防護(hù)電路，其特征在于：它包括P型場效應(yīng)管MOS1、P型場效應(yīng)管MOS2、N型場效應(yīng)管MOS3、N型場效應(yīng)管MOS4、穩(wěn)壓二極管D1和電阻R1；所述的P型場效應(yīng)管MOS1的源極與柵極相連且同時(shí)連接在VDD上；所述的P型場效應(yīng)管MOS2的源極與柵極相連且同時(shí)連接在P型場效應(yīng)管MOS1的漏極上；所述的N型場效應(yīng)管MOS3的漏極與P型場效應(yīng)管MOS2的漏極相連，N型場效應(yīng)管MOS3柵極與源極相連且同時(shí)連接在N型場效應(yīng)管MOS4的漏極上；所述的N型場效應(yīng)管MOS4的柵極連接在源極上且同時(shí)接地；所述的穩(wěn)壓二極管D1的正極連接在N型場效應(yīng)管MOS4的源極上，負(fù)極連接在VDD上，所述的電阻R1的一端與P型場效應(yīng)管MOS2的漏極相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于高壓環(huán)境的雷電防護(hù)電路，其特征在于：所述的穩(wěn)壓二極管D1上串聯(lián)有穩(wěn)壓二極管D2。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于高壓環(huán)境的雷電防護(hù)電路，其特征在于：所述的電阻R1的阻值為7000歐姆。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于高壓環(huán)境的雷電防護(hù)電路，其特征在于：所述的P型場效應(yīng)管MOS1、P型場效應(yīng)管MOS2、N型場效應(yīng)管MOS3和N型場效應(yīng)管MOS4襯底均與其的源級相連接。