[實用新型]LED倒裝芯片的N電極連接結構

有效

• 申請號: 201320219440.7
• 申請日: 2013-04-26
• 公開（公告）號: CN203277487U
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: 王維昀;周愛新;毛明華;李永德;馬滌非;吳煊梁
• 申請（專利權）人: 東莞市福地電子材料有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 雷利平

技術領域

本發明創造涉及LED倒裝芯片，具體涉及其N電極連接結構。

背景技術

LED倒裝芯片底面開有沉坑穿過P型層和有源發光層通至N半導體層。N接觸層設在沉坑內，與N半導體層觸通。目前，LED倒裝芯片的缺點是：

(1)N接觸層與沉坑側壁之間需預留一定的距離以避免短路，這使得沉坑需占用較大的橫截面積，導致有源發光層面積減小，影響發光效果；

(2)芯片上N接觸層的電流聚集在沉坑處，分布不均勻；

(3)如果開多個沉坑讓電流分布均勻，N接觸層就相應地需要進行多次制作和焊接。

發明內容

本發明創造的目的是讓LED倒裝芯片獲得較好的發光效果，芯片上N接觸層的電流分布均勻，且N接觸層制作和焊接方便。

為此給出LED倒裝芯片的N電極連接結構，芯片底面開有至少兩個沉坑穿過P型層和有源發光層通至N半導體層，其特征是：沉坑側壁和芯片底面設有絕緣層；芯片的N接觸層包括沉入部和連接部，沉入部進入沉坑內觸通N半導體層，連接部覆蓋在芯片底面的絕緣層的表面連起分別位于不同沉坑內的各個沉入部。N接觸層是蒸鍍或濺射而成的。

有益效果：

(1)沉坑側壁設有絕緣層，N接觸層與沉坑側壁之間就不需預留更多的距離，有利于減小沉坑對橫截面積的占用，從而讓有源發光層能夠有較大的面積，最終獲得較好的發光效果；?

(2)N接觸層通過多個沉坑觸通N半導體層，使得芯片上N接觸層的電流分布均勻；

(3)因為N接觸層的各個沉入部被連接部連起實現相互連通，所以N接觸層能夠一次性制作完成，并且只需對連接部進行一次焊接即可實現各個沉入部的導通，無需對各個沉入部分別進行焊接；

(4)N接觸層的制作無需深入芯片內層，在芯片底面即可完成制作。

現有技術無法同時取得上述四個有益效果。

附圖說明

圖1是LED倒裝芯片的N電極連接結構示意圖。

具體實施方式

如圖1，LED倒裝芯片底面開有至少兩個沉坑9穿過P型層3和有源發光層4通至N半導體層5，沉坑9側壁設有絕緣層21，芯片底面設有絕緣層22；N接觸層1一部分是沉入部11，其進入沉坑9內觸通N半導體層5；另一部分是連接部12，其覆蓋在芯片底面的絕緣層22的表面連起分別位于不同沉坑9內的各個沉入部11。芯片的N接觸層1是蒸鍍或濺射在絕緣層21、22的表面的，能夠一次性制作完成各個沉入部11和連接部12，形成N電極連接結構。