[實(shí)用新型]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320218685.8 | 申請(qǐng)日： | 2013-04-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203288584U | 公開（公告）日： | 2013-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | P.C.馬里穆圖;S.M.L.阿爾瓦雷斯;林耀劍;J.A.卡帕拉斯;陳嚴(yán)謹(jǐn) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/498 | 分類號(hào)： | H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯廣華;王忠忠 |
| 地址： | 新加坡*** | 國省代碼： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
襯底；
半導(dǎo)體管芯，其設(shè)置在所述襯底的第一表面上；
線柱，其附連到所述襯底的所述第一表面；
密封劑，其沉積在所述襯底、半導(dǎo)體管芯和線柱上；以及
互連結(jié)構(gòu)，其在所述密封劑上形成并且電連接到所述線柱。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括在與所述襯底的所述第一表面相對(duì)的所述襯底的第二表面上形成的接合盤。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述密封劑上并且電連接到所述襯底的半導(dǎo)體封裝件。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述襯底上的分立半導(dǎo)體裝置。
5.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
襯底；
半導(dǎo)體管芯，其設(shè)置在所述襯底上；
線柱，其附連到所述襯底；以及
密封劑，其沉積在所述襯底、半導(dǎo)體管芯和線柱上。
6.如權(quán)利要求5所述半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括在所述密封劑上形成并且電連接到所述線柱的互連結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括在與所述線柱相對(duì)的所述襯底的表面上形成的接合盤。
8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體管芯上并且電連接到所述襯底的半導(dǎo)體封裝件。
9.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述襯底上的分立半導(dǎo)體裝置。
10.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
襯底；
半導(dǎo)體管芯，其設(shè)置在所述襯底上；
線柱，其附連到所述襯底；
密封劑，其沉積在所述襯底、半導(dǎo)體管芯和線柱上；以及
互連結(jié)構(gòu)，其在所述密封劑上形成。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述互連結(jié)構(gòu)電耦合到所述線柱。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述互連結(jié)構(gòu)電耦合到所述半導(dǎo)體管芯。
13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括在與所述線柱相對(duì)的所述襯底的表面上形成的接合盤。
14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述密封劑上并且電連接到所述襯底的半導(dǎo)體封裝件。
15.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述襯底上的分立半導(dǎo)體裝置。
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