[實用新型]一種用于控制IGBT開斷的PWM波產(chǎn)生電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320216926.5
• 申請日: 2013-04-25
• 公開（公告）號: CN203180760U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張青青;王慶玉;張高峰
• 申請（專利權(quán)）人: 國家電網(wǎng)公司;山東電力集團公司電力科學(xué)研究院
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088
• 代理公司: 濟南圣達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 張勇

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于控制領(lǐng)域，涉及一種PWM波產(chǎn)生電路，特別涉及一種用于控制IGBT開斷的PWM波產(chǎn)生電路。

背景技術(shù)

隨著社會的發(fā)展，科學(xué)技術(shù)的進步，變流器技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于人們的生活和工業(yè)領(lǐng)域中，其中變頻和逆變技術(shù)更是應(yīng)用廣泛，觸手可及，小到電磁爐等家電設(shè)備，大到中頻爐等工業(yè)冶煉行業(yè)，主要涉及到新型功率器件IGBT開斷的控制，各行業(yè)的技術(shù)人員，提出了不同的控制方法，比如軟件實現(xiàn)，需要相應(yīng)的控制器件，例如DSP微處理器，增加了相應(yīng)的成本，還需要搭建相應(yīng)的外圍電路，而且，軟件實現(xiàn)方法易受外界電磁干擾，這些方法大都實現(xiàn)起來比較復(fù)雜，增加了設(shè)備的成本和設(shè)備的不穩(wěn)定性，為此我們提出了一種用硬件連接，產(chǎn)生相應(yīng)的PWM波，控制后級IGBT的開斷方法。

實用新型內(nèi)容

為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點，本實用新型提出了一種用于控制IGBT開斷的PWM波產(chǎn)生電路，用于控制IGBT的開斷，簡單可靠，降低了控制難度和設(shè)備的成本。

本實用新型采用的技術(shù)方案如下：

一種用于控制IGBT開斷的PWM波產(chǎn)生電路，包括：

載波發(fā)生電路，連接至PWM波產(chǎn)生電路的載波信號輸入端，用于產(chǎn)生PWM波產(chǎn)生電路所需頻率的載波信號；

PWM波產(chǎn)生電路，包括：

控制信號IN1生成電路，連接至控制信號IN2生成電路，用于將控制信號IN和反饋信號IF處理成所需的控制信號IN1；

控制信號IN2生成電路，分別連接至控制信號INT3生成電路和控制信號INB3生成電路，用于將控制信號IN1調(diào)制成所需頻率的控制信號IN2；

控制信號INT3生成電路，連接至控制信號TOP-PWM生成電路，用于將控制信號IN2處理成同頻率的控制信號INT3；

控制信號INB3生成電路，連接至控制信號BOT-PWM生成電路，用于將控制信號IN2處理成同頻率的控制信號INB3；

控制信號TOP-PWM生成電路，用于將控制信號INT3處理成同頻率的控制IGBT上橋臂開斷的控制信號TOP-PWM；

控制信號BOT-PWM生成電路，用于將控制信號INB3處理成同頻率的控制IGBT下橋臂開斷的控制信號BOT-PWM。

所述的載波發(fā)生電路包括波形產(chǎn)生芯片U1，芯片U1為集成芯片ICL8038，芯片U1的10腳和11腳之間接有電容C1，電容C1為1nF電容，9腳外接測試針TP1，電位器RP1、電位器RP2為調(diào)節(jié)載波頻率使用的可調(diào)電阻，阻值為100K，比較電路有比較器A1D、電阻R4、電阻R5、電位器RP3組成，比較器A1D為TL084ID，電阻R4、電阻R5阻值為10K電阻，電位器RP3為20K電位器。

所述的控制信號IN1生成電路包括由電阻R6、電阻R7、電阻R8、電位器RP4、比較器A1A組成求和比較電路，由穩(wěn)壓管Z1、穩(wěn)壓管Z2組成的穩(wěn)壓電路，其中電阻R6、電阻R7、電阻R8為10K電阻，電位器RP4為100K電位器，所述的比較器A1A為TL084ID，穩(wěn)壓管Z1、穩(wěn)壓管Z2為5.1V穩(wěn)壓管。

所述的控制信號IN2生成電路，包括由電阻R9、電阻R10、電容C2、比較器A2、電阻R11組成的載波調(diào)制電路，其中電阻R9為2K電阻，電阻R10為10K電阻，電容C2為1uF電容，比較器A2為集成芯片LM211，電阻R11為5.1K上拉電阻，載波信號T?RANGAL由載波發(fā)生電路提供，且使用載波頻率為5KHZ。

所述的控制信號INT3生成電路，包括由電阻R12、電阻R14、比較器A3、電阻R16組成的比較電路，電阻R18、二極管D1、電容C3組成的低通濾波和積分電路，其中電阻R12、電阻R14為10K電阻，電阻R16為5.1K上拉電阻，比較器A3為集成芯片LM211。

所述控制信號TOP-PWM生成電路，包括由電位器RP5、比較器A5、電阻R20組成門限值比較電路，門限值設(shè)定為3.2V，其中電位器RP5為2K的電位器，比較器A5為集成芯片LM211，電阻R20為5.1K的上拉電阻。

所述的控制信號INB3生成電路包括由電阻R13、電阻R15、比較器A4、電阻R17組成的比較電路，電阻R19、二極管D2、電容C4組成的低通濾波和積分電路，其中電阻R13、電阻R15為10K電阻，電阻R17為5.1K上拉電阻，比較器A4為集成芯片LM211，電阻R19為100K電阻，二極管D2為高頻二極管1N4148，電容C4為47pF電容。