[實用新型]一種單層陶瓷微米波級電容器

有效

• 申請號: 201320206915.9
• 申請日: 2013-04-23
• 公開（公告）號: CN203218107U
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 吳德余;向榮
• 申請（專利權）人: 億曼豐科技（深圳）有限公司
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/33
• 代理公司: 杭州賽科專利代理事務所 33230
• 代理人: 曹紹文

技術領域

本實用新型涉及一種電子元器件，尤其涉及一種單層陶瓷微米波級電容器。

背景技術

陶瓷電容器分單層陶瓷和多層陶瓷，因為其性能可靠、壽命長，特別是電介質介電常數高易制造出超小型的超高頻的器件而廣受市場歡迎，并且有取代傳統的薄膜電容器的趨勢。目前陶瓷電容器的主流是多層（MLCC），但對于微米波段的電子設備，其串聯等效電阻(ESR)還是太高，特別是對于高介高穩定大容量的電路就很難勝任，于是單層陶瓷電容器就成了新的替代產品。但國內目前主要依靠進口,也有采用傳統流延法制作。流延工藝是在陶瓷粉料中加入溶劑進行濕式混磨，再加入粘合劑、增塑劑、潤滑劑等進行混磨以形成穩定的、流動性良好的漿料。料漿流向移動著的薄膜載體上，生成生坯,生坯的厚度由刮刀控制，坯膜連同載體進入巡回熱風烘干室，在漿料溶劑的沸點之下烘干，最后生坯按所需形狀進行切割、沖片或打孔。流延工藝是目前陶瓷薄型化的一個主流制作方法，但是這種工藝所制備的電容器不僅εr（介電常數）偏小、?tanδ（介質損耗因數）偏大，而且介溫特性差，應用時會影響電容器的可靠性。

實用新型內容

本實用新型為了解決上述現有技術存在的缺陷和不足，提供了一種不僅εr較大、tanδ較小，而且介溫特性好，應用時可靠性好的單層陶瓷微米波級電容器。

本實用新型的技術方案：一種單層陶瓷微米波級電容器，包括陶瓷基片、鍍銀層和金屬銅電極層，所述陶瓷基片為經軋膜后形成的高介高穩定陶瓷基片，所述金屬銅電極層壓于鍍銀層的表面，所述鍍銀層鋪陳于陶瓷基片兩面。

優選地，所述鍍銀層和金屬銅電極層的長度與陶瓷基片的長度相配合，所述鍍銀層和金屬銅電極層的寬度和陶瓷基片的寬度相配合。

優選地，所述陶瓷基片的厚度小于0.2mm，長度和寬度均為15mm。

本實用新型采用經壓膜后形成的高介高穩定且致密、平整、厚度小的陶瓷基片，使得其不僅εr較大、tanδ較小，而且介溫特性好，應用時可靠性好。

附圖說明

圖1為本實用新型的截面示意圖。

圖中1.陶瓷基片，2.鍍銀層，3.金屬銅電極層。

具體實施方式

下面結合附圖和制備工藝對本實用新型作進一步詳細的說明，但并不是對本實用新型保護范圍的限制。

如圖1所示，一種單層陶瓷微米波級電容器，包括陶瓷基片1、鍍銀層2和金屬銅電極層3，陶瓷基片1為經壓膜后形成的高介高穩定陶瓷基片，金屬銅電極層3壓于鍍銀層2的表面，鍍銀層2鋪陳于陶瓷基片1兩面。鍍銀層2和金屬銅電極層3的長度與陶瓷基片1的長度相配合，鍍銀層2和金屬銅電極層3的寬度和陶瓷基片1的寬度相配合。陶瓷基片1的厚度小于0.2mm，長度和寬度均為15mm。

本實用新型的制備工藝如下：

1、將SrCO3和TiO2按SrTiO3陶瓷的化學計量比配備，添加微量的Ta2O5、SiO2和Al2O3；將其置于軋膜機的兩輥軸之間進行混煉；

2、使陶瓷粉料與粘合劑、增塑劑、溶劑充分混合均勻，軋膜次數選擇65次；

3、在球磨機去離子水中球磨24?h，經烘干、過180?μm（80目）篩，在1?280?℃預燒3?h；

4、在去離子水中進行二次球磨24?h，經烘干、過180?μm（80目）篩制得瓷料；

5、瓷料必須保證生成致密、平整、厚度小于0.2?mm的薄型高介高穩定陶瓷基片，尺寸為15.0?mm×15.0?mm×?0.2?mm的陶瓷生坯

生坯在空氣中1?310?℃排膠2?h；

6、在N2＋H2還原氣氛中1?400~1?450?℃燒結3?h；

7、上晶界涂覆料于1?060~1?160?℃空氣中熱處理1?h；

8、生坯按所需形狀進行切割、沖片或打孔；

9、最后電極金屬化得到高介單層微波陶瓷電容器。

本實用新型采用經壓膜后形成的高介高穩定且致密、平整、厚度小的陶瓷基片，使得其不僅εr較大、tanδ較小，而且介溫特性好，應用時可靠性好。

本實用新型的陶瓷基片采用軋膜工藝制成,先將粘合劑、增塑劑、水及陶瓷粉體拌勻形成塑性料團，然后將其置于軋膜機的兩輥軸之間進行混煉，使陶瓷粉料與粘合劑、增塑劑、溶劑充分混合均勻，使泥料高度均勻以及粘合劑與粉粒之間有充分的接觸，必須保持足夠的混煉工作量，反復軋煉，以達到要求的均勻度、致密度、光潔度和厚度。