[實用新型]一種臺平面肖特基勢壘二極管有效
| 申請號： | 201320206424.4 | 申請日： | 2013-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN203250749U | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 楊忠武 | 申請（專利權）人： | 上海安微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201102 上海市徐匯*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 平面 肖特基勢壘二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種肖特基勢壘二極管，其結構包括：以N或P型半導體為基片，在上面形成N-或P-外延層，在外延層上形成勢壘層，再形成金屬陽極，邊緣造型設置擴散保護環，并配合臺面結構，以聚酰亞胺進行臺面保護。
2.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述的邊緣造型為臺平面型，臺面和平面的PN結保護環相接，臺面深度不大于PN結深。?
3.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，臺面保護采用聚酰亞胺低固化溫度材料，固化溫度低于400℃，厚度大于3000?。
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