[實用新型]半導體晶圓級封裝結構

有效

• 申請號: 201320201903.7
• 申請日: 2013-04-19
• 公開（公告）號: CN203192788U
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 肖智軼;王曄曄;范俊;賴芳奇;黃小花;房玉亮;顧明磊;陸明;廖建亞;沈建樹
• 申請（專利權）人: 昆山西鈦微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 昆山四方專利事務所 32212
• 代理人: 盛建德

1.一種半導體晶圓級封裝結構，包括硅基材（1），該硅基材具有兩個相對的表面，該硅基材的其中一個表面上設有金屬焊墊（3），其特征在于：在所述硅基材的另一個表面上對應所述金屬焊墊位置處設有一漏斗型垂直深孔（4）連通所述金屬焊墊，且該漏斗型垂直深孔靠近所述硅基材另一個表面的一段沿平行所述硅基材表面的截面的半徑從靠近所述金屬焊墊一側到遠離所述金屬焊墊一側逐漸變大，另在該漏斗型垂直深孔的側壁以及硅基材的另一個表面上均覆蓋一層絕緣材料（5）。

2.根據權利要求1所述的半導體晶圓級封裝結構，其特征在于：所述絕緣材料的厚度大于3微米。