[實用新型]一種基于硅上液晶技術的波長阻斷器及波長阻斷系統

有效

• 申請號: 201320200294.3
• 申請日: 2013-04-19
• 公開（公告）號: CN203241657U
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: 方水塔;黃慧紅
• 申請（專利權）人: 方水塔;黃慧紅
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;G02B6/293
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種光通信設備，更具體地說，特別涉及一種基于硅上液晶技術的波長阻斷器及波長阻斷系統。?

背景技術

光通信網絡的高速發展，對光通信設備模塊的性能，可靠性要求越來越高，設備成本和運行成本要求越來越低，要求有可變通道頻率和頻帶寬度。但是現有的設備一方面不具有可變通道頻率和頻帶寬度，另一方面存在因光路上元器件多而導致設備價格昂貴。因此，需要設計一種新型的波長阻斷器及系統。?

實用新型內容

本實用新型的第一目的在于針對現有技術中一方面不具有可變通道頻率和頻帶寬度，另一方面存在因光路上元器件多的技術問題，提供一種基于硅上液晶技術的波長阻斷器。?

本實用新型的第二目的在于提供一種根據上述的基于硅上液晶技術的波長阻斷器組成的波長阻斷系統。

為了達到上述第一目的，本實用新型采用的技術方案如下：

一種基于硅上液晶技術的波長阻斷器，包括依次設置的環形器、線偏振光發生器和光柵，以及，依次設置的聚焦透鏡組、硅上液晶芯片和控制電路，所述聚焦透鏡組位于光柵的一端。

優選的，所述的聚焦透鏡組是單方向聚焦的柱透鏡組。

優選的，所述線偏振光發生器包括依次設置的準值器、雙折射晶體和半波片，且所述準值器位于環形器的一端。

優選的，所述硅上液晶芯片包括依次設置于的平面液晶、反射薄膜層以及互補金屬氧化物半導體，且所述平面液晶位于聚焦透鏡組的一端。

優選的，所述反射薄膜層與聚焦透鏡組的焦平面重合。

為了達到上述第二目的，本實用新型采用的技術方案如下：

一種波長阻斷系統，其包括基于硅上液晶技術的波長阻斷器，其特征在于：所述的基于硅上液晶技術的波長阻斷器至少為二個，且所述至少二個波長阻斷器依次通過耦合器連接。

與現有技術相比，本實用新型的優點在于：一方面光路上使用的元件少，由于硅上液晶芯片的結構相對簡單，價格平宜，可以用同一片液晶芯片和一個光路系統，做出互相獨立的多個波長阻斷器，且生產成本低只有其它同類器件的1/3~1/5；另一方面通過控制其中的控制電路即可實現通道頻率和頻帶寬度的改變；同時波長阻斷器組成的系統可以實現動態重構多路波長的波長選擇開關功能。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。?

圖1是本實用新型的基于硅上液晶技術的波長阻斷器的結構圖。

附圖標記說明：

1、平面液晶，2、反射薄膜層，3、互補金屬氧化物半導體，4、控制電路，5、光柵，6、聚焦透鏡組，7、環形器，8、準值器，9、雙折射晶體，10、半波片。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步的詳細說明。?

參閱圖1所示，本實用新型提供的一種基于硅上液晶技術的波長阻斷器，包括依次設置的環形器7、線偏振光發生器和光柵5，以及，依次設置的聚焦透鏡組6、硅上液晶芯片和控制電路4（即COMS控制電路），其中，聚焦透鏡組6位于光柵5的一端，

較佳的，聚焦透鏡組6是單方向聚焦的柱透鏡組，線偏振光發生器包括依次設置的準值器8、雙折射晶體9和半波片10，且準值器8位于環形器7的一端。硅上液晶芯片包括依次設置的平面液晶1、反射薄膜層2以及互補金屬氧化物半導體（即COMS）3，且平面液晶1位于聚焦透鏡組6的一端。這樣，光波的通道是由互補金屬氧化物半導體3的控制形成的，而平面液晶1內部不需要有光波的通道間隔，因此造價低，而且通道的頻率和帶寬任意可調。而本實用新型的原理是如下所示：