[實用新型]一種低成本熒光燈電子鎮流器有效
| 申請號: | 201320197063.1 | 申請日: | 2013-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN203219596U | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發明(設計)人: | 張新安 | 申請(專利權)人: | 張新安 |
| 主分類號: | H05B41/295 | 分類號: | H05B41/295 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 425199 湖南省永州市零*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 低成本 熒光燈 電子鎮流器 | ||
技術領域
本實用新型涉及熒光燈鎮流器技術領域,具體涉及一種低成本熒光燈電子鎮流器。
背景技術
傳統的熒光燈鎮流器,由帶鐵芯的線圈和啟輝器組成,功耗大,體積大,重量大,且存在頻閃和蜂音。目前市場上出售的熒光燈電子鎮流器幾乎都是采用磁環變壓器反饋的自激式雙極型晶體管半橋逆變電路,相對于傳統的電感鎮流器,它的優點是體積小,重量輕。但同時存在以下缺點:(1)雙極型晶體管由磁環變壓器驅動,振蕩反饋回路復雜,工作頻率不穩定,可靠性低。(2)沒有燈絲預熱功能,容易造成燈絲開路及半橋逆變輸出晶體三極管損壞,熒光燈的壽命短。(3)沒有功率因素校正電路,電子鎮流器的功率因素一般不超過0.6,電能的利用率低。
發明內容
為解決現有熒光燈電子鎮流器的不足,本實用新型公開一種低成本熒光燈電子鎮流器。該鎮流器的電路簡單、成本低、體積小、重量輕、功率因素高、性能好、使用壽命長,可廣泛應用于小功率熒光燈電子鎮流器領域。
為實現上述目的,本實用新型采用如下技術方案:本實用新型由依次順序連接的EMI濾波電路、整流濾波電路、PFC電路、半橋逆變電路和升壓鎮流電路組成。EMI濾波電路是由電容C1和電感L1組成的低通濾波電路。整流濾波電路是由橋式整流器DB1和電容C2組成的市電整流濾波電路。PFC電路是由二極管D1、D2、D3,電容C3、C4和電阻R1組成的填谷式無源功率因素校正電路。半橋逆變電路由集成電路芯片UBA2025,電阻R2、R3、R4,電容C5~C12,二極管D4、D5組成。電容C6和電阻R3分別設置為100pF和30KΩ,半橋逆變電路振蕩的最高頻率為108KHz,最低頻率為43KHz。升壓鎮流電路是由電感L2和電容C13組成的串聯諧振電路。
本實用新型的積極效果在于:電路簡單、成本低、體積小、重量輕、功率因素高、性能好、使用壽命長。
附圖說明
圖1為本實用新型的方框圖。
圖2為本實用新型的電路原理圖。
具體實施方式
如附圖1所示,本實用新型由依次順序連接的EMI濾波電路、整流濾波電路、PFC電路、半橋逆變電路和升壓鎮流電路組成。
?如附圖2所示,EMI濾波電路是由電容C1和電感L1組成的低通濾波電路,可抑制市電電源與鎮流器之間的高頻電磁干擾。其中C1用于抑制串模干擾信號,L1用于抑制共模干擾信號。
?整流濾波電路是由橋式整流器DB1和電容C2組成的市電整流濾波電路,將220V交流電經整流濾波得到300V左右的直流電壓,為半橋逆變電路供電。
?PFC電路是由二極管D1、D2、D3,電容C3、C4和電阻R1組成的填谷式無源功率因素校正電路。在AC線路電壓的每個半周期內,當AC電壓幅度高于其峰值的50%(即UAC?(PK)/2)時,D2導通,而D1和D3反向偏置截止,C3和C4以串聯方式被充電。一旦AC線路電壓降至VAC(PK)/2以下,D2將反向偏置截止,而D1和D3則導通,C3和C4并聯放電,放電電流流入負載。R1的接入有助于平滑輸入電流尖峰,還可以通過限制C3和C4的電流來改善功率因數。在不加PFC電路時,在AC線路電壓的半周期內,輸入電流導通角僅約60°,功率因數不超過0.6。采用這種填谷式PFC電路替代單個電容,電流導通角將增加到120°,功率因數達0.9以上,3次和5次諧波電流分別降至17%和15%以下,總諧波失真THD降至30%以下,符合能源之星SSL功率因數大于0.9的要求,并滿足EN55015B?EMI要求。
半橋逆變電路由集成電路芯片UBA2025,電阻R2、R3、R4,電容C5~C12,二極管D4、D5組成,具有熒光燈電子鎮流器所須的預熱、點火、運行和電容性模式、過壓、欠壓保護功能。整個鎮流器電路包括UBA2025在內僅使用26個元器件,電路簡單,成本低。
接通220V的AC電源,經DB1橋式整流和電容C2濾波,產生約300V的DC電壓。通過啟動電阻R2的電流從IC1(UBA2025)引腳RHV流入,經內部一個二極管后,從IC1引腳VS流出,對電容C9充電。當引腳VS上的電壓達到啟動門限電平(12V),電路開始振蕩,半橋中的高端MOSFET和低端MOSFET輪流導通,產生占空比為50%的高頻方波輸出。本實用新型將電容C6和電阻R3分別設置為100pF和30KΩ,半橋逆變電路振蕩的最高頻率是108KHz,最低頻率是43KHz。
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