[實用新型]等離子體渦流發生器

有效

• 申請號: 201320196757.3
• 申請日: 2013-04-18
• 公開（公告）號: CN203222109U
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 馮立好;王晉軍;史濤瑜;劉亞光
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: B64C23/06
• 分類號: B64C23/06;F15D1/00
• 代理公司: 北京永創新實專利事務所 11121
• 代理人: 周長琪

1.一種等離子體渦流發生器，其特征在于，該渦流發生器包括在控制體表面分離區前緣處沿展向貼附的一個以上的等離子體激勵器，各等離子體激勵器的長向方向與自由來流成夾角θ，θ為0～45度；所述的等離子體激勵器包括三層介質，上層為裸露電極，中間層為絕緣介質，下層為覆蓋電極；在等離子體激勵器長向上，裸露電極和覆蓋電極的長度相同，絕緣介質的長度比裸露電極和覆蓋電極的長度長；在等離子體激勵器的寬向上，覆蓋電極所處位置與裸露電極所處位置不重疊；裸露電極和覆蓋電極之間施加高壓高頻正弦交流電源；裸露電極相對覆蓋電極位于上游，指定自由來流的速度所指方向為下游，相反方向為上游。

2.根據權利要求1所述的等離子體渦流發生器，其特征在于，所述的等離子體激勵器的個數為偶數，每兩個等離子體激勵器成組對稱布置，每組等離子體激勵器再等距布置。

3.根據權利要求1所述的等離子體渦流發生器，其特征在于，所述的等離子體激勵器等距布置。

4.根據權利要求1或2或3所述的等離子體渦流發生器，其特征在于，所述的裸露電極及覆蓋電極的寬度均為控制體表面展長的1%到5%，且裸露電極的寬度小于覆蓋電極的寬度；裸露電極與覆蓋電極之間的間隙為0毫米到8毫米。

5.根據權利要求4所述的等離子體渦流發生器，其特征在于，所述的絕緣介質的寬度至少等于裸露電極、覆蓋電極以及兩個電極之間的間隙之和。

6.根據權利要求4所述的等離子體渦流發生器，其特征在于，所述的絕緣介質的寬度，在裸露電極以及覆蓋電極的外側端分別延伸1毫米到2毫米。

7.根據權利要求4所述的等離子體渦流發生器，其特征在于，所述的裸露電極和覆蓋電極的厚度不超過15微米，絕緣介質的厚度不超過250微米。

8.根據權利要求4所述的等離子體渦流發生器，其特征在于，所述的裸露電極和覆蓋電極采用具有導電性能的金屬材料制作，所述的絕緣介質采用環氧樹脂、石英玻璃、陶瓷、聚酰亞胺薄膜或者聚酯薄膜制作。

9.根據權利要求4所述的等離子體渦流發生器，其特征在于：所述的裸露電極和覆蓋電極采用銅箔制作，所述的絕緣介質采用聚酯薄膜制作。

10.根據權利要求1或2或3所述的等離子體渦流發生器，其特征在于，所述的等離子體激勵器，具有定常模式和非定常模式兩種工作模式；在定常模式下，等離子體激勵器一直處于開啟狀態，通過在裸露電極和覆蓋電極之間始終施加高壓高頻正弦交流電源實現；在非定常模式下，等離子體激勵器周期性地開啟和關閉，通過在裸露電極和覆蓋電極之間施加周期性的高壓高頻正弦交流電源實現。