[實用新型]圓片封裝結構有效
| 申請號： | 201320195459.2 | 申請日： | 2013-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN203288579U | 公開（公告）日： | 2013-11-13 |
| 發明（設計）人： | 繆小勇 | 申請（專利權）人： | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市惠誠律師事務所 11353 | 代理人： | 雷志剛;潘士霖 |
| 地址： | 226006 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種圓片封裝結構，其特征在于，包括半導體芯片，所述半導體芯片上設置有焊盤和鈍化層，所述鈍化層設置于半導體芯片上的焊盤以外的上表面，在焊盤和鈍化層上依次設置有保護層、種子層和金屬再配線層，所述金屬再配線層表面開設有凹槽，所述金屬再配線層上表面還設置有銅柱凸點，所述銅柱凸點位于凹槽以外的金屬再配線層上表面上。?
2.根據權利要求1所述的圓片封裝結構，其特征在于，所述凹槽的深度不超過金屬再配線層厚度的一半。?
3.根據權利要求1所述的圓片封裝結構，其特征在于，所述凹槽的截面呈倒梯形。?
4.根據權利要求1所述的圓片封裝結構，其特征在于，所述凹槽的寬度不大于金屬再配線層寬度的一半。?
5.根據權利要求1所述的圓片封裝結構，其特征在于，所述保護層為耐熱金屬層。?
6.根據權利要求1所述的圓片封裝結構，其特征在于，所述金屬再配線層的厚度大于12um。?
7.根據權利要求5所述的圓片封裝結構，其特征在于，所述耐熱金屬層的材料是鈦或鉻或鉭；或/和所述種子層為銅或鋁或鎳。?
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