[實用新型]存儲裝置

有效

• 申請號: 201320194584.1
• 申請日: 2013-04-17
• 公開（公告）號: CN203179010U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 劉淑敏
• 申請（專利權）人: 劉淑敏
• 主分類號: G06F12/16
• 分類號: G06F12/16;G06F13/16
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 武晨燕;張穎玲

技術領域

本實用新型有關一種存儲裝置，特別有關一種存儲裝置內部所使用的內存連接架構的改良。

背景技術

一般來說，在以揮發性內存(volatile?memory)組成的存儲裝置中，揮發性內存通常都是以串接的形式連接在同一條總線上，因此在進行數據存取時，容易有信號反射(reflection)的問題產生。

如圖1與圖2所示，分別為現有技術的第一內存架構的方框圖與第二內存架構的方框圖。如圖中所示，存儲裝置主要具有控制芯片11、總線12及兩個以上揮發性內存13，其中該控制芯片11通過一條該總線12串接該兩個以上揮發性內存13。如圖1所示，當該控制芯片11存取第一個該揮發性內存13時，雖然其它的揮發性內存13沒有被存取，但仍然會有微小電流21流至各該揮發性內存13。并且，當該總線12的長度越長(即該總線12上串接的該揮發性內存13的數量越多)時，其后方可容納的該電流21就越大。

如此一來，如圖2所示，因為后方的這些揮發性內存13并沒有執行數據存取的動作，因此這些電流21會被反射回來，形成反射電流22，即為信號反射(reflection)的現象。而如上所述，當該總線12上串接的該揮發性內存13的數量越多時，其后方可容納的該電流21就越大，因此反射回來的該反射電流22就越大。如此一來，這些反射電流22將會對原始的存取信息與數據產生干擾，甚至造成信號與數據的錯誤。

有鑒于上述問題，便有人提出內部終端電阻(On-Die?Termination，ODT)的技術，以解決信號反射的問題。一般來說，要使用ODT技術，該揮發性內存13要內建有ODT腳位，這樣該控制芯片11才能通過ODT腳位啟動該揮發性內存13的ODT功能(如DDR3即內建有ODT功能)。ODT功能啟動后，主要在該揮發性內存13中仿真產生一個具有特定電阻值的電阻器，借以，當該揮發性內存13收到該電流21時，會導向該電阻器，而不會反射回去并形成該反射電流22。

然而，當該揮發性內存13開啟ODT功能時，該存儲裝置整體的功耗會增加，因此導致耗電量提高，并且整體的溫度也會提高。經由本案申請人的實驗發現，在室內溫度23℃的狀態下連續存取該揮發性內存13三十分鐘，在ODT功能關閉的情況下，該揮發性內存13的平均溫度為33℃。其中，讀取該揮發性內存13的平均電流為1.1A，平均功率為1.65W；寫入該揮發性內存13的平均電流為1.2A，平均功率為1.8W。相反地，在ODT功能啟用的情況下，該揮發性內存13的平均溫度為37.9℃。其中，讀取該揮發性內存13的平均電流為1.2A，平均功率為1.8W；寫入該揮發性內存13的平均電流為2.8A，平均功率為4.2W。

如上所述，雖然通過ODT功能可以有效解決信號反射(reflection)帶來的問題，然而，開啟ODT功能所伴隨的高溫及高耗電量，給本領域中的技術人員帶來相當大的困擾。有鑒于此，如何通過ODT以外的技術解決現有的信號反射(reflection)問題，即為本領域中的技術人員所潛心研究的課題。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型的主要目的在于提供一種存儲裝置，能夠借由改變內存的連接架構，解決因信號反射現象而使原始信號產生噪聲或造成信號干擾的問題。

為達到上述目的，本實用新型提供了一種存儲裝置，該存儲裝置包含：電路基板，具有正面及背面，并且該電路基板上具有傳輸接口，所述存儲裝置通過該傳輸接口連接外部的計算機主板；內存控制器，設置于所述電路基板，并通過所述電路基板電性連接所述傳輸接口；總線，設置于所述電路基板，并通過所述電路基板電性連接所述內存控制器，該總線上具有一個以上的接點；內存模塊，設置于所述電路基板，并通過所述電路基板電性連接所述總線，其中該內存模塊由至少兩個內存插槽及至少兩個揮發性內存組成，所述至少兩個揮發性內存分別通過對應的所述內存插槽連接于同一條所述總線；其中，所述總線上的每個所述接點分別連接兩個所述內存插槽，并分別通過所述兩個內存插槽存取對應的所述揮發性內存，其中連接到同一個所述接點的所述兩個內存插槽，分別設置于所述電路基板的所述正面與所述背面上的對應位置，并且所述兩個內存插槽與所述內存控制器之間的距離相等。

進一步地，所述至少兩個內存插槽與所述至少兩個揮發性內存的數量為雙數。

進一步地，所述至少兩個內存插槽的數量為八個，所述至少兩個揮發性內存的數量為八個，所述總線具有至少四個所述接點，其中每個所述接點分別連接上、下兩個所述內存插槽，并通過所述兩個內存插槽分別存取上、下兩個所述揮發性內存。