[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201320192794.7
• 申請日: 2013-04-16
• 公開（公告）號: CN203277383U
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: 郭霄;呂鳳珍;儲松南;張新霞;姜偉;向康
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

技術領域

本實用新型屬于液晶顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)是一種重要的平板顯示設備。根據驅動液晶的電場方向，可以分為垂直電場型和水平電場型。垂直電場型需要在陣列基板上形成像素電極，在彩膜基板上形成公共電極，如常用的TN模式；而水平電場型則需要在陣列基板上同時形成像素電極和公共電極，如ADS模式（高級超維場轉換模式）。ADSDS（簡稱ADS）是京東方自主創新的以寬視角技術為代表的核心技術統稱。ADS是指平面電場寬視角核心技術-高級超維場轉換技術（ADvanced?Super?Dimension?Switch），其核心技術特性描述為：通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（push?Mura）等優點。針對不同應用，ADS技術的改進技術有高透過率I-ADS技術、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術等。

如圖1所示為現階段常用的ADS底柵型陣列基板的器件結構圖，包括：薄膜晶體管（柵極1、源極4-1、漏極4-2）、第一透明電極層2（公共電極）、半導體層6、摻雜半導體層5、第一鈍化絕緣層7以及在漏極4-2上設有過孔A用于連接像素電極8。對于ADS型陣列基板的制作，使用較多的5次光刻（Mask）工藝。采用5次光刻（Mask）工藝制備陣列基板，工藝復雜，開發費用較高。

另外，對于液晶面板，為防止漏光，通常在彩膜基板上制作黑矩陣，同時，由于彩膜基板和陣列基板需要經過對位形成液晶面板，而在對位過程中，為防止由于對位不準確而造成不能完全遮蓋漏光的現象，通常通過增加黑矩陣的寬度來解決此問題，但這樣會降低液晶面板的開口率。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題包括，針對現有的陣列基板開口率低且容易因對位偏差導致漏光的問題，提供開口率高且不易產生漏光的陣列基板及顯示裝置。

解決本實用新型技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板，包括：薄膜晶體管區和顯示區，所述薄膜晶體管區包括薄膜晶體管和第一透明導電層，所述顯示區包括第一透明電極，所述薄膜晶體管區第一透明導電層與所述顯示區第一透明電極同層設置且兩者互不連接，所述薄膜晶體管設置在所述薄膜晶體管區透明導電層上方。

本實用新型的陣列基板的第一透明電極與第一透明電極層一次形成，故其工藝簡單，可以降低成本。

優選的是，所述薄膜晶體管區還包括黑矩陣，所述黑矩陣設置在第一透明導電層和薄膜晶體管之間。

進一步優選的是，還包括：第一鈍化絕緣層，且

所述第一鈍化絕緣層設于薄膜晶體管區第一透明導電層和顯示區第一透明電極層上。

優選的是，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管。

進一步優選的是，上述頂柵型陣列基板還包括：柵極絕緣層、第二鈍化絕緣層以及像素電極層，

所述柵極絕緣層設于薄膜晶體管柵極下方；

所述薄膜晶體管柵極上方設有第二鈍化絕緣層，且薄膜晶體管漏極上方的柵極絕緣層和第二鈍化絕緣層中設有過孔；

所述像素電極設于第二鈍化絕緣層上，且通過所述過孔與薄膜晶體管的漏極連接。

解決本實用新型技術問題所采用的技術方案是一種顯示裝置，包括上述陣列基板。

本實用新型的顯示裝置設有上述陣列基板，故其不會產生現有技術中黑矩陣制作在彩膜基板上，導致在彩膜基板與陣列基板對盒時不可避免的會出現對位偏差，為避免因對位偏差導致的漏光，此時黑矩陣必須做的更寬，這樣就會造成開口率進一步下降。而本實用新型的顯示裝置，把黑矩陣做在陣列基板上，就可以不用考慮因對盒造成的開口率的影響，黑矩陣可以做的更窄小，也就提高了開口率。

附圖說明

圖1為現有的ADS底柵型陣列基板的示意圖；

圖2為本實用新型的實施例1的ADS頂柵型陣列基板的示意圖圖；

圖3為本實用新型的實施例1的ADS頂柵型陣列基板第一次光刻過程的示意圖；

圖4為本實用新型的實施例1的ADS頂柵型陣列基板第一次光刻過程的流程圖；以及，

圖5為本實用新型的實施例1中通過4次光刻形成ADS頂柵型陣列基板過程的示意圖。