[實用新型]一種光伏建筑一體化產品有效
| 申請號: | 201320182621.7 | 申請日: | 2013-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN203232875U | 公開(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發明(設計)人: | 金琳虎;王華磊;柴士磊;胡居濤;莊春泉 | 申請(專利權)人: | 江蘇武進漢能光伏有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 徐琳淞 |
| 地址: | 213000 江蘇省常州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 建筑 一體化 產品 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種光伏建筑一體化產品。
背景技術
目前采用薄膜太陽能電池制備光伏建筑一體化產品,其中有一種方法是背電極采用鍍AZO(AZO是鋁摻雜的氧化鋅透明導電玻璃的簡稱)膜層,達到導電和透光的效果。為了保證較好的導電性和透光性,該方法需要增加AZO膜厚來降低阻值,由此帶來的影響是:增加了制程時間,并且電阻過大。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種具有較好的透光性和導電性,并且AZO也能得到控制的光伏建筑一體化產品。
為了解決上述技術問題,本實用新型所提供的技術方案是:一種光伏建筑一體化產品,包括平面透明襯底、透明導電層、發電層、背電極層、保護層和背板層;所述透明導電層鍍在平面透明襯底上,透明導電層刻有第一絕緣槽;所述發電層鍍在透明導電層上,發電層上刻有第二絕緣槽;所述背電極層包括鍍在發電層上的第一AZO膜層、鍍在第一AZO膜層上的導電金屬層、以及鍍在導電金屬層上的第二AZO膜層;所述發電層和背電極層上蝕刻有上下連通的激光線槽;所述保護層封裝在第二AZO膜層上;所述背板層封裝在保護層上。
所述背電極層的第一AZO膜層的厚度為70至80nm。
所述背電極層的導電金屬層采用鋁或銀的厚度為10至20nm。
所述背電極層的第二AZO膜層的厚度為60至100nm。
采用了上述技術方案后,本實用新型具有以下的有益效果:(1)本實用新型的背電極層的第一AZO膜層控制膜厚,并保證主要波長未被吸收的光發生全反射,從而保證光電轉換效率;背電極導電金屬層采用鋁或銀,厚度為10至20nm,保證導電率同時確保透光性;第二AZO膜層起到保護導電金屬層的作用,同時保證透光率;因此,本實用新型在保證透光性的同時,還能保證較好的導電性,同時AZO膜厚也得到了控制,制程時間短,串聯電阻不會過大。
(2)本實用新型的背電極層的第一AZO膜層的厚度為70至80nm,該厚度能保證良好的光的全反射性能。
附圖說明
為了使本實用新型的內容更容易被清楚地理解,下面根據具體實施例并結合附圖,對本實用新型作進一步詳細的說明,其中
圖1為本實用新型的結構示意圖。
附圖中的標號為:
平面透明襯底1、透明導電層2、第一絕緣槽21、發電層3、第二絕緣槽31、背電極層4、第一AZO膜層41、導電金屬層42、第二AZO膜層43、激光線槽3-4、保護層5、背板層6。
具體實施方式
(實施例1)
見圖1,本實施例的光伏建筑一體化產品,包括平面透明襯底1、透明導電層2、發電層3、背電極層4、保護層5和背板層6。
透明導電層2鍍在平面透明襯底1上,透明導電層2刻有第一絕緣槽21。發電層3鍍在透明導電層2上,發電層3上刻有第二絕緣槽31。背電極層4包括鍍在發電層3上的第一AZO膜層41、鍍在第一AZO膜層41上的導電金屬層42、以及鍍在導電金屬層42上的第二AZO膜層43。背電極層4的第一AZO膜層41的厚度為70至80nm。背電極層4的導電金屬層42采用鋁或銀的厚度為10至20nm。背電極層4的第二AZO膜層43的厚度為60至100nm。發電層3和背電極層4上蝕刻有上下連通的激光線槽3-4。保護層5封裝在第二AZO膜層43上。背板層6封裝在保護層5上。
第一AZO膜層41控制膜厚,并保證未被吸收的光全部反射,從而保證光電轉換效率。第二AZO膜層43起到保護導電金屬層42的作用,同時保證透光率。在保證透光性的同時,還能保證較好的導電性,同時AZO膜厚也得到了控制,制程時間短,串聯-電阻不會過大。
以上所述的具體實施例,對本實用新型的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明,所應理解的是,以上所述僅為本實用新型的具體實施例而已,并不用于限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內,所做的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





