[實(shí)用新型]一種消影透明導(dǎo)電膜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320180691.9
• 申請(qǐng)日: 2013-04-11
• 公開（公告）號(hào): CN203259674U
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱選敏;彭育華;段柯州
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 紅安華州光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02B1/11
• 分類號(hào): G02B1/11
• 代理公司: 武漢宇晨專利事務(wù)所 42001
• 代理人: 王敏鋒

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及平板顯示領(lǐng)域，更具體涉及一種附著在透明材料上的消影透明導(dǎo)電膜，特別是適用于電容式觸摸屏等附著在光學(xué)玻璃以及透明塑料基材上的消影透明導(dǎo)電膜。

背景技術(shù)

透明導(dǎo)電膜玻璃（或者透明導(dǎo)電膜塑料）已經(jīng)大量在液晶顯示（LCD）、觸摸屏尤其是電容式觸摸屏（CTP）上作為透明導(dǎo)電電極使用。通常其工藝是在超薄玻璃（0.33mm-1.1mm）上通過物理沉積的方式（蒸發(fā)鍍膜或者磁控濺射鍍膜）沉積氧化銦錫（ITO）透明導(dǎo)電膜，然后采用蝕刻工藝將透明導(dǎo)電膜做成透明電極，大量使用在LCD和CTP領(lǐng)域。但是這種制作方法存在一個(gè)問題：即由于透明導(dǎo)電膜具有一定的厚度（通常在5-250nm之間），并且是透明導(dǎo)電膜是一種弱吸收的透明光學(xué)材料（其折射率為1.8），進(jìn)過蝕刻后的玻璃線槽底部和未蝕刻部分的透明導(dǎo)電膜之間存在一個(gè)光學(xué)層差，在外觀上表現(xiàn)為可以清晰的觀察到蝕刻陰影，影響LCD和CTP的外觀。

解決此問題可以采用以下兩種方法，其一是選擇采用與透明導(dǎo)電膜相同折射率的材料作為基板玻璃材料，消除玻璃和透明導(dǎo)電膜形成的光學(xué)干涉，從而消除陰影；其二是通過在普通玻璃上沉積光學(xué)過渡層，與ITO層形成光學(xué)膜系結(jié)構(gòu)，在設(shè)計(jì)上弱化或者減少最后一層ITO透明導(dǎo)電膜層的光學(xué)干涉作用，從而達(dá)到光學(xué)消影的作用。按照第二種原理，現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)公開了具有多種光學(xué)干涉導(dǎo)電膜，比較有代表性的是：

美國(guó)專利No.6532112公開了一種抗反射導(dǎo)電膜層結(jié)構(gòu)，其膜層材料采用了四層的抗反射的光學(xué)氧化物材料和最外層折射率在1.9-2.1間的透明導(dǎo)電材料，透明導(dǎo)電膜材料為氧化錫（SnO2）、氧化鋅（ZnO2）、氧化銦（In2O3）和氧化銦錫（ITO）。由于不僅具備了良好的抗反射光學(xué)膜層，而且還具有外表面的透明導(dǎo)電層，因此可以廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域和各類透明光電傳感領(lǐng)域。此實(shí)用新型解決了透明導(dǎo)電膜和光學(xué)膜層的結(jié)合問題，因此為光學(xué)膜和透明導(dǎo)電膜層的復(fù)合膜層結(jié)構(gòu)提供了先例。

美國(guó)專利No.6586101，公開了一種抗反射光學(xué)多層膜，具有五層結(jié)構(gòu)，且由離基板最遠(yuǎn)的層開始算起第一層、第二層、第三層、第四層和第五層。此多層薄膜材料包含材料為ITO的第一層、材料為SiO₂的第二層、材料為NbO的第三層、材料材SiO₂的第四層和材料為NbO的第五層。此實(shí)用新型可以解決透明和導(dǎo)電的結(jié)合，但是完全只是提高了基板玻璃的光學(xué)透過率，沒有按照消除蝕刻痕跡的效果進(jìn)行設(shè)計(jì)。

中國(guó)專利公開號(hào)CN1389346A，公布了一種抗反射光學(xué)多層膜，膜層具有五層結(jié)構(gòu)，并且由離基板最遠(yuǎn)的層開始計(jì)算起為第一層、第二層、第三等、第四層和第五層。此多層膜包含材料為ITO的第一層、材料為SiO₂的第二層、材料為NbO的第三層、材料為SiO₂的第四層和材料為NbO的第五層。公布的膜層結(jié)構(gòu)為在無透明導(dǎo)電膜（T）的基材（S）正面垂直向外第一層是厚度在10nm到60nm的氧化鈮，第二層是厚度在10nm到70nm的氧化硅，第三層是厚度在30nm到100nm的氧化鈮，第四層是厚度在10nm到70nm的氧化硅；在有透明導(dǎo)電膜（T）的基材（S）背面垂直向外第一層是厚度在10nm到60nm的氧化鈮，第二層是厚度在10nm到70nm的氧化硅，第三層是厚度在30nm到100nm的氧化鈮，第四層是厚度在10nm到70nm的氧化硅，第五層透明導(dǎo)電的ITO膜厚度為10nm到60nm。

此膜層結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)較高的透射率，也是完全是以提高整體基材的透過率進(jìn)行設(shè)計(jì)的，沒有按照消除蝕刻條紋的陰影進(jìn)行光學(xué)設(shè)計(jì)。