[實用新型]IGBT預驅動電路的開關電源

有效

• 申請號: 201320180241.X
• 申請日: 2013-07-25
• 公開（公告）號: CN203251229U
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 金寧治;呂德剛;丁樹業
• 申請（專利權）人: 哈爾濱理工大學
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335
• 代理公司: 哈爾濱東方專利事務所 23118
• 代理人: 陳曉光

1.一種IGBT預驅動電路的開關電源，其組成包括：方波發生電路，其特征是：所述的方波發生電路連接開關信號生成電路，所述的開關信號生成電路連接全橋式逆變電路，所述的全橋式逆變電路連接高頻變壓器，所述的高頻變壓器連接輸出整流分壓電路，所述的輸出整流分壓電路連接至IGBT預驅動器供電部分，其中所述的全橋式逆變電路還通過前端降壓斬波電路與輸入直流電源連接。

2.根據權利要求1所述的IGBT預驅動電路的開關電源，其特征是：所述的輸入直流電源為8-40V，所述的前端降壓斬波電路的輸出電壓為5V直流電壓，所述的前端降壓斬波電路通過DC/DC變換器連接控制電路供電部分。

3.根據權利要求1或2所述的IGBT預驅動電路的開關電源，其特征是：所述的方波發生電路產生幅值5V、頻率60kHz、占空比50%的方波信號VG，所述的方波信號VG連接開關信號生成電路，所述的開關信號生成電路對方波信號VG進行邏輯變換和死區預留，并輸出四路開關信號VG1-VG4；所述的開關信號生成電路包括非門U3、二極管D3、電阻R8、電容C8、二極管D4、電阻R9和電容C9，所述的方波信號VG連接所述的非門U3的3腳，所述的非門U3的2腳連接所述的電阻R8的一端和二極管D3的K極，所述的電阻R8的另一端連接所述的非門U3的5腳和二極管D3的A極，所述的電容C8的一端連接所述的非門U3的5腳另一端接地，所述的非門U3的2腳連接電阻所述的R9的一端和二極管D4的A極，所述的電阻R9的另一端連接所述的非門U3的7腳和二極管D4的K極，所述的電容C9的一端連接所述的非門U3的7腳另一端接地，所述的非門U3的4腳連接所述的非門U3的11腳，所述的非門U3的6腳連接所述的非門U3的9腳，所述的非門U3的4腳、6腳、10腳、12腳分別輸出四路開關信號VG1-VG4，所述的四路開關信號VG1-VG4連接所述的全橋逆變電路。

4.根據權利要求1或2所述的IGBT預驅動電路的開關電源，其特征是：所述的全橋逆變電路包括P型MOSFET?U4B、N型MOSFET?U4A、P型MOSFET?U5B和N型MOSFET?U5A；所述的P型MOSFET?U4B、N型MOSFET?U4A、P型MOSFET?U5B和N型MOSFET?U5A的G極分別連接所述的開關信號VG1-VG4，所述的P型MOSFET?U4B和P型MOSFET?U5B的D極連接所述的5V直流電壓，所述的P型MOSFET?U4B的S極連接所述的N型MOSFET?U4A的D極，所述的P型MOSFET?U5B的S極連接所述的N型MOSFET?U5A的D極，所述的N型MOSFET?U4A和N型MOSFET?U5A的S極接地，所述的P型MOSFET?U4B的S極連接隔直電容C128的一端，所述的隔直電容C128的另一端連接至所述的高頻變壓器的初級繞組的一端，所述的高頻變壓器的初級繞組的另一端連接所述的P型MOSFET?U5B的S極連接，所述的高頻變壓器還具有四個次級繞組，所述的次級繞組分別連接各自的輸出整流分壓電路。

5.根據權利要求4所述的IGBT預驅動電路的開關電源，其特征是：所述的輸出整流分壓電路包括整流電路和分壓電路，所述的整流電路包括二極管D5、二極管D6、二極管D7、二極管D8和電容C13，所述的分壓電路包括電阻R10、5V穩壓管D9和電容C14-C17；所述的整流電路為單相橋式不可控型整流電路并輸出20V直流電壓，所述的分壓電路將20V直流電壓分離為15V正電壓和5V負電壓兩部分，以分別驅動相應IGBT的導通和關斷。