[實用新型]帶狀線可調濾波器

有效

• 申請號: 201320179424.X
• 申請日: 2013-04-11
• 公開（公告）號: CN203180025U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 韓世虎;榮沫;黃森
• 申請（專利權）人: 四川九洲電器集團有限責任公司
• 主分類號: H01P1/203
• 分類號: H01P1/203
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 詹永斌

技術領域

本實用新型屬于跳頻通信技術領域，具體而言，涉及一種帶狀線可調濾波器。

背景技術

對于跳頻通信系統，通常包括多個帶寬信號，如工作在短波、超短波、微波低端的接收機和發射機。為了有效利用不斷變化的電波傳播條件，同時也為了信息不被敵方截獲，避免敵臺施放干擾，理想情況下，各個接收機或發射機的中心頻率應能在任何時候任意改變，而不要求重新調整其它接收機或發射機及其它元器件。信號選擇性的實現主要由其中的可調濾波器組完成。

可調濾波器一般分為三種：磁可調濾波器、電可調濾波器、機械可調濾波器。磁可調濾波器體積龐大，一般用于寬帶調諧情況，主要應用于振蕩器等。電調濾波器具有體積適中、調諧時間快等突出特點，常應用于快速反應的通信系統中。機械可調濾波器最大的缺點是調諧速度慢，不可能滿足快速調諧的要求，但它幾乎沒有功率容量的限制，這一點是電調諧濾波器不能比擬的。

此處引入濾波器增加的損耗計算公式如下：

其中代表濾波器增加的插入損耗，為截止頻率，為濾波器第節低通原型值，?為濾波器第節諧振腔無載品質因數值。

傳統的電可調濾波器一般采用微帶濾波器加變容二極管實現，根據上述計算公式可以看出，由于微帶諧振器的無載品質因數（即Q值）較低，一般在200左右，故其構成的可調濾波器插入損耗較大，性能較差。如何實現高速、低損耗的可調濾波器，是需要解決的一個問題。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種高速、低損耗的可調濾波器。

本實用新型提供的一種帶狀線可調濾波器，包括電源控制部分和帶狀線可調濾波器腔體，其特征在于：所述帶狀線可調濾波器腔體包括矩形金屬諧振桿和高Q值變容二極管。

其中，所述的矩形金屬諧振桿呈矩形狀，一端接地，一端開路。

其中，所述的高Q值變容二極管為砷化鎵變容二極管。

其中，所述的矩形金屬諧振桿與腔體相連接，連接方式包括：單獨加工后采用螺釘、焊接方式，或者直接在腔體上面加工。

其中，所述的電源控制部分包括：電壓數字控制板、程控直流電源和去耦電路。

其中，所述的帶狀線可調濾波器腔體還包括：金屬腔、支撐介質、終端開路或者短路線和輸入輸出接頭。

其中，所述的帶狀線可調濾波器，具有梳狀線結構。

其中，所述的帶狀線可調濾波器腔體內部具有上下支撐介質，采用絕緣材料制成。優選地，所述的支撐介質位于矩形金屬塊中，采用全填充或者部分填充方式對金屬諧振桿和變容二極管進行支撐。優選地，所述的支撐介質對變容二極管除兩端以外的其它4個面進行支撐，具備開槽。

上述帶狀線可調濾波器的主要結構是采用高Q值的帶狀線替代微帶線，并連接高Q值的變容二極管。對于可調濾波器而言，主要由兩個因數決定：諧振器的Q值和變容二極管的Q值。微帶線的Q值一般為200左右，帶狀線的Q值一般為800左右，帶狀線無載品質因數為微帶線的四倍左右。硅管的四倍硅變容二極管的Q值最高為50000，而砷化鎵變容二極管的Q值最高為20000，砷化鎵變容二極管的無載品質因數至少為硅管的四倍。通過選擇高品質因數的諧振器和變容二極管，就能有效降低可調濾波器的損耗，提高濾波器的性能，從而獲得高性能、低損耗和快速反應的有益效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對本實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例。對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。

圖1示出了帶狀線可調濾波器的框圖；

圖2示出了本實用新型實施例帶狀線可調濾波器腔體部分的一種示意圖；

具體實施方式

本實用新型實施例所要解決的技術問題是提供一種帶狀線可調濾波器，以實現高速、低損耗和快速反應的有益效果。

參見圖1，本實用新型提供的一種帶狀線可調濾波器，其包括：電源控制部分101和帶狀線可調濾波器腔體102。所述的帶狀線可調濾波器的電源控制部分包括：電壓數字控制板103、程控直流電源104和去耦電路105。此外，在附圖1中還包括：接頭106，外部控制信號107。

所述的帶狀線可調濾波器，具有梳狀線結構。

參考圖2，所述的帶狀線可調濾波器的帶狀線可調濾波器腔體包括：、多個矩形金屬諧振桿201、變容二極管202、金屬腔203、支撐介質204、終端開路或者短路線205、輸入輸出接頭206等組成。其中支撐介質包括：上支撐介質和下支撐介質。