[實用新型]晶圓冷卻定位機有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320178907.8 | 申請日: | 2013-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN203205396U | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳典廷;劉中平;柯益隆;吳峯宇 | 申請(專利權)人: | 帆宣系統(tǒng)科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 王晶 |
| 地址: | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 冷卻 定位 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種晶圓處理裝置,特別涉及一種令晶圓能夠于同一機臺上作冷卻以及校正作業(yè)的創(chuàng)新晶圓冷卻定位機。
背景技術
按,隨著科技的快速發(fā)展,高科技電子產(chǎn)品使用于日常生活中已是相當普遍,例如手機、主板、數(shù)字相機等電子產(chǎn)品,該類電子產(chǎn)品內(nèi)部皆裝設并布滿許多IC半導體,而IC半導體的材料來源就是晶圓,為了能夠因應各式高科技電子產(chǎn)品的大量需求,故晶圓代工產(chǎn)業(yè)皆以如何更加快速且精確制造出晶圓為目標,不斷地進行研發(fā)與改良突破。
晶圓的加工程序繁復且精密,大致上包括有:微影、蝕刻、擴散、離子布植、薄膜等等,其中所述微影細部流程又包括有表面清洗、涂底、烘烤(包括軟烤與硬烤)、曝光、顯影等等,又其中由于晶圓在烘烤過程中會產(chǎn)生約80℃至170℃的高溫,因此必須先經(jīng)過冷卻作業(yè)才能進行下一道加工程序;此外,為了防止晶圓在某些加工作業(yè)流程后產(chǎn)生偏差位移而影響精確度,所以晶圓在運送至下一流程中間還會先送至定位機臺進行校正作業(yè),通過以上所述可了解,晶圓不僅加工程序非常多且其冷卻與定位作業(yè)是分別于不同機臺進行,因此相對增加運送晶圓所占用的時間,可想而知,如何整合晶圓作業(yè)程序以及減少運送時間,為提升整體制造效率非常重要的關鍵。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的主要目的在于提供一種晶圓冷卻定位機;
為達到上述目的,本實用新型采用以下技術方案:
一種晶圓冷卻定位機包括:一基座,包括一頂部、一底部、二側部以及一晶圓導入端;一晶圓冷卻座,設置定位于基座的頂部上,該晶圓冷卻座具有一冷卻裝置,藉以將晶圓冷卻座所產(chǎn)生的熱帶走而獲得冷卻降溫作用;一升降帶動裝置,設置定位于基座或晶圓冷卻座,包括一滑軌固定座以及一升降座,其中該升降座底端具有呈延伸進基座底部下方的一延伸板,且令該升降座能夠相對滑軌固定座作上下升降位移;至少一晶圓置放部,組設于升降座的延伸板且呈向上穿伸凸出晶圓冷卻座中央?yún)^(qū)域型態(tài),所述晶圓置放部包括一頂端以及一連接端,其中該晶圓置放部的頂端藉以供既有晶圓由晶圓導入端導入時能夠置放定位;二橫向滑移裝置,分設于基座或晶圓冷卻座的相對二側,各橫向滑移裝置皆包括有一滑軌座以及一滑動座,且二橫向滑移裝置的滑動座呈能夠沿著滑軌座相對橫向位移型態(tài),其中該滑動座更包括有一內(nèi)側面以及一外側面;至少一組晶圓定位部,相對分設于滑動座的內(nèi)側面,且各晶圓定位部皆包括有一定位面,所述定位面呈對應晶圓形狀的設置型態(tài);
藉此創(chuàng)新獨特設計,使本實用新型對照先前技術而言,俾可透過升降帶動裝置與橫向滑移裝置令晶圓能夠于同一機臺上作冷卻以及校正作業(yè),達到節(jié)省運送時間而提升制造效率的實用進步性。
附圖說明
圖1為本實用新型的組合立體圖。
圖2為本實用新型置入晶圓的作動示意圖。
圖3為本實用新型晶圓置放于晶圓置放部頂端的平面?zhèn)纫晥D。
圖4為本實用新型透過升降帶動裝置令晶圓置放于晶圓冷卻座上的作動示意圖。
圖5為本實用新型橫向滑移裝置定位晶圓的作動示意圖。
圖6為本實用新型橫向滑移裝置定位晶圓的俯視圖。
圖7為接續(xù)圖6的作動圖。
圖8為本實用新型冷卻裝置的實施例圖。
具體實施方式
如圖1、2、3、4所示,本實用新型晶圓冷卻定位機A包括下述構成:
一基座10,包括一頂部11、一底部12、二側部13以及一晶圓導入端14;
一晶圓冷卻座20,設置定位于基座10的頂部11上,該晶圓冷卻座20具有一冷卻裝置21,藉以將晶圓冷卻座20所產(chǎn)生的熱帶走而獲得冷卻降溫作用;
一升降帶動裝置30,設置定位于基座10或晶圓冷卻座20,包括一滑軌固定座31以及一升降座32,其中該升降座32底端具有呈延伸進基座10底部12下方的一延伸板33,且令該升降座32能夠相對滑軌固定座31作上下升降位移;
至少一晶圓置放部34,組設于升降座32的延伸板33且呈向上穿伸凸出晶圓冷卻座20中央?yún)^(qū)域型態(tài),所述晶圓置放部34包括一頂端35以及一連接端36,其中該晶圓置放部34的頂端35藉以供既有晶圓01由晶圓導入端14導入時能夠置放定位;
二橫向滑移裝置40,分設于基座10或晶圓冷卻座20的相對二側,各橫向滑移裝置40都包括一滑軌座41以及一滑動座42,且二橫向滑移裝置40的滑動座42呈能夠沿著滑軌座41相對橫向位移型態(tài),其中該滑動座42還包括一內(nèi)側面43以及一外側面44;
至少一組晶圓定位部45,相對分設于滑動座42的內(nèi)側面43,且各晶圓定位部45都包括有一定位面46,所述定位面46呈對應晶圓01形狀的設置型態(tài);
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





