[實用新型]薄膜晶體管、陣列基板以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201320178479.9
• 申請日: 2013-04-10
• 公開（公告）號: CN203423187U
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 孟慶超;羅強強
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

技術領域

本實用新型屬于顯示技術領域，具體涉及一種薄膜晶體管、陣列基板以及顯示裝置。?

背景技術

隨著科學技術的發展，平板顯示裝置已取代笨重的CRT(Cathode?Ray?Tube,陰極射線管)顯示裝置日益深入人們的日常生活中。目前，常用的平板顯示裝置包括LCD（Liquid?Crystal?Display：液晶顯示裝置）和OLED（Organic?Light-Emitting?Diode:有機發光二極管）顯示裝置。?

在成像過程中，LCD顯示裝置和有源矩陣驅動式OLED（Active?Matrix?Organic?Light?Emission?Display，簡稱AMOLED）顯示裝置中的每一像素點都由集成在陣列基板中的薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor：簡稱TFT）來驅動，從而實現圖像顯示。薄膜晶體管作為發光控制開關，是實現LCD顯示裝置和OLED顯示裝置顯示的關鍵，直接關系到高性能顯示裝置的發展方向。?

如圖1A所示，薄膜晶體管包括基板1以及在基板上形成的柵極層2、柵極絕緣層4、有源層以及相應的隔絕層（即復合層5）、源極層6、漏極層3。目前，薄膜晶體管中的源極（Source）和漏極（Drain）通常設置在同一層中，例如形成中間間隔有間隙或溝槽的漏極層6和源極層3。相應的，現有的薄膜晶體管的制備工藝中，通過成膜步驟形成源漏極膜層，然后對源漏極膜層進行曝光、顯影、刻蝕步驟形成中間有間隙或溝槽的源漏極，從而形成位于同一層中的互相分離的源極和漏極。?

如圖1B所示，陣列基板包括上述的薄膜晶體管（TFT）以及鈍化層7、像素電極層8，其中，鈍化層7中設置于TFT的上方，?鈍化層7中還開設有過孔9，像素電極層8設置于鈍化層7的上方，TFT的漏極層3與像素電極層8通過過孔9連接。?

但是，受目前工藝設備與工藝能力的限制，溝道（被限制在源極和漏極之間的導電區域稱為溝道，柵壓打開時源極和漏極之間的間隙或溝槽相對應的半導體部分）常出現未被完全刻蝕的現象，使得源極和漏極出現橋連（Bridge）現象，導致像素（Pixel）出現亮點不良，降低產品質量等級（例如：產品質量等級從P級降到S級）。因此，如何保證薄膜晶體管中源極和漏極之間能完全阻斷，提高產品質量成為目前業界亟待解決的問題。?

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是針對現有技術中存在的上述不足，提供一種薄膜晶體管、陣列基板以及顯示裝置，該薄膜晶體管以及相應的陣列基板中源極與漏極之間能完全阻斷，從而保證源極與漏極之間不會出現橋連現象，提高了顯示裝置的產品質量。?

解決本實用新型技術問題所采用的技術方案是該薄膜晶體管，包括基板以及設置于所述基板上的柵極層、源極層、漏極層，所述源極層與所述漏極層設置在不同的層上且所述漏極層與所述柵極層同層設置。?

優選的是，所述漏極層與所述柵極層同層設置在所述基板上，所述漏極層與所述柵極層之間開有間隙；所述源極層設置在所述柵極層的上方，所述源極層與所述柵極層之間設置有柵極絕緣層以及復合層，所述柵極絕緣層設置于所述柵極層上方以及復合層的下方，所述復合層從所述柵極絕緣層覆蓋所述間隙并部分延伸至所述漏極層上方。?

優選的是，所述柵極層、源極層和漏極層均采用鉬、鉬鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦或銅形成，所述柵極層、源極層和漏極層的厚度范圍為2000～10000

優選的是，所述復合層包括有源層以及設置于所述有源層上?方的歐姆接觸層，所述有源層采用非晶硅材料形成，所述有源層的厚度范圍為200～3000所述歐姆接觸層采用摻雜磷元素的非晶硅材料形成，所述歐姆接觸層的厚度范圍為200～3000

優選的是，所述復合層包括有源層以及設置于所述有源層上方的刻蝕阻擋層，所述有源層采用氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵錫形成，所述有源層的厚度范圍為100～2000所述刻蝕阻擋層的厚度范圍為500～4000

優選的是，其特征在于，所述柵極絕緣層為單層、雙層或多層，采用硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物、硅氮氧化物或鋁氧化物形成，所述柵極絕緣層的厚度范圍為2000～6000

一種陣列基板，包括上述的薄膜晶體管。?

優選的是，所述陣列基板中還包括鈍化層，所述鈍化層設置在所述源極層與所述漏極層的上方，所述鈍化層對應著漏極層的區域開設有過孔，所述鈍化層的厚度范圍為1000～4000