[實(shí)用新型]Si基中/長(zhǎng)波疊層雙色碲鎘汞材料

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320174705.6
• 申請(qǐng)日: 2013-04-09
• 公開（公告）號(hào): CN203218276U
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王經(jīng)緯;鞏鋒;王叢;劉銘;強(qiáng)宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十一研究所
• 主分類號(hào): H01L31/0296
• 分類號(hào): H01L31/0296;H01L31/0352
• 代理公司: 工業(yè)和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 秦瑩

1.一種硅Si基中/長(zhǎng)波疊層雙色碲鎘汞材料，其特征在于，所述Si基中/長(zhǎng)波疊層雙色碲鎘汞材料由下到上依次包括：

晶向?yàn)?11的Si襯底、在所述Si襯底的表面上依次生長(zhǎng)的砷As鈍化層、碲化鋅ZnTe緩沖層、碲化鎘CdTe緩沖層、以及三層不同組份不同厚度的碲鎘汞薄膜層。

2.如權(quán)利要求1所述的材料，其特征在于，所述三層不同組份不同厚度的碲鎘汞薄膜層具體包括：位于最上層的長(zhǎng)波吸收層、位于中層的短波阻擋層、以及位于下層的中波吸收層。

3.如權(quán)利要求2所述的材料，其特征在于，所述長(zhǎng)波吸收層為：Hg1-xCdxTe，其中，x=0.23。

4.如權(quán)利要求2或3所述的材料，其特征在于，所述長(zhǎng)波吸收層的厚度為4.5μm。

5.如權(quán)利要求2所述的材料，其特征在于，所述短波阻擋層為：Hg_1-xCd_xTe，其中，x=0.6。

6.如權(quán)利要求2或5所述的材料，其特征在于，所述短波阻擋層的厚度為1.2μm。

7.如權(quán)利要求2所述的材料，其特征在于，所述中波吸收層為：Hg_1-xCd_xTe，其中，0.3≤x≤0.31。

8.如權(quán)利要求2或7所述的材料，其特征在于，所述中波吸收層的厚度為4.5μm。