[實用新型]高壓電路中低壓器件的高壓阱版圖結構有效
| 申請號： | 201320168792.4 | 申請日： | 2013-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN203150554U | 公開（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發明（設計）人： | 閆琳靜;劉菁;楊森林;單闖 | 申請（專利權）人： | 北京經緯恒潤科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 100101 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高壓 電路 低壓 器件 版圖 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種高壓電路中低壓器件的高壓阱版圖結構，包括P型襯底和N阱，其特征在于，所述N阱的側面和P型襯底之間設有滿足高壓規則的阻擋層；所述低壓器件設置于所述N阱上；所述N阱的阱電位為高壓。
2.根據權利要求1所述的高壓阱版圖結構，其特征在于，所述低壓器件為低壓P型場效應管；所述低壓P型場效應管的源極和漏極分別為設置在所述N阱上互不接觸的的P型摻雜；所述低壓P型場效應管的柵極為多晶硅，設置于源極和漏極之間的溝道上。
3.根據權利要求2所述的高壓阱版圖結構，其特征在于，所述低壓P型場效應管的個數為一個或多個，且每個低壓P型場效應管的襯底電位相同。
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