[實用新型]一種PIM+S參數測試儀有效
| 申請號: | 201320167420.X | 申請日: | 2013-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN203275528U | 公開(公告)日: | 2013-11-06 |
| 發明(設計)人: | 朱斌;李榮明 | 申請(專利權)人: | 南京納特通信電子有限公司 |
| 主分類號: | G01R27/28 | 分類號: | G01R27/28 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 許方 |
| 地址: | 210012 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pim 參數 測試儀 | ||
技術領域
本實用新型涉及無源器件的互調產物和S參數的測試領域。
背景技術
“PIM+S參數測試儀”是一種精密的信號分析測量設備,用于檢測一些無源器件的“互調干擾”噪聲和S參數測量。
由于許多無源器件產品既要測量互調參數指標,還要測試器件的S參數指標,這樣就要求被測產品要在互調測試儀與矢量網絡分析儀之間相互的搬運及連接、測試,測試效率低,不利于大批量生產。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題在于克服現有技術的不足,提供一種既能測量無源器件的互調指標,又能測量無源器件的S參數指標的PIM+S參數測試儀。
本實用新型具體采用以下技術方案解決上述技術問題:本實用新型設計了一種PIM+S參數測試儀,包括矢量網絡分析儀、信號源101、兩個功率放大器201,202、三個單刀雙擲開關301,302,303、3dB電橋401、負載501、耦合器601、同軸衰減器701和雙工器801,所述矢量網絡分析儀中包括矢量信號源102、R1接收機901、B1接收機902和SOURCE?OUT端口903,其中:
所述信號源101的輸出端連接第一功率放大器201的輸入端,所述第一單刀雙擲開關301的公共端連接矢量信號源102的輸出端,第一單刀雙擲開關301的第一、第二測試端分別連接第二功率放大器202的輸入端和第三單刀雙擲開關303的第二測試端,所述第一、第二功率放大器201,202的輸出端共同連接3dB電橋401的輸入端,所述3dB電橋401的兩個輸出端分別連接負載501和耦合器601的輸入端;
所述第一、第二功率放大器201,202將兩路信號放大后傳輸至3dB電橋401,3dB電橋401將兩路信號合并后傳輸至耦合器601進行耦合處理;
所述耦合器601的輸出端連接雙工器801的TX端,耦合器601將耦合后的信號傳輸至雙工器801,雙工器801的ANT端通過低互調電纜連接第三單刀雙擲開關303的第一測試端,第三單刀雙擲開關303的公共端連接被測器件的測試端口;
雙工器801將上述耦合后的信號作為測試信號傳輸至其自身的ANT端,并通過第三單刀雙擲開關303的公共端對被測器件進行檢測,雙工器801的RX端連接B1接收機902,所述測試信號經被測器件反射后形成反射信號,并進入雙工器801的RX端,所述反射信號通過雙工器801的RX端進入B1接收機902,所述B1接收機902用于對反射信號進行檢測;
所述耦合器601的耦合端連接同軸衰減器701的輸入端,同軸衰減器701的輸出端連接第二單刀雙擲開關302的第一測試端,第二單刀雙擲開關302的第二測試端連接SOURCE?OUT端口903,第二單刀雙擲開關302的公共端連接R1接收機901;
所述R1接收機901用于通過第二單刀雙擲開關302和同軸衰減器701對耦合器601的耦合功率進行檢測,并將檢測結果反饋給矢量信號源102,矢量信號源102利用反饋結果對自身發送的信號進行調整。
本實用新型與現有技術相比具有如下優點:
1、儀表式設計,測試精度高;
2、測量模式可選,切換方便;
3、開放外部測量端口,可擴展性強。
附圖說明
圖1為本實用新型所設計的PIM+S參數測試儀的結構原理圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本實用新型做進一步的詳細說明:
如圖1所示,本實用新型設計了一種PIM+S參數測試儀,包括矢量網絡分析儀、信號源101、兩個功率放大器201,202、三個單刀雙擲開關301,302,303、3dB電橋401、負載501、耦合器601、同軸衰減器701和雙工器801,所述矢量網絡分析儀中包括矢量信號源102、R1接收機901、B1接收機902和SOURCE?OUT端口903,其中:
在具體實施例中,兩個功率放大器201,202構成功率放大單元,三個單刀雙擲開關301,302,303和同軸衰減器701構成低互調開關矩陣,3dB電橋401、負載501、耦合器601和雙工器801構成無源模塊單元。
所述信號源101的輸出端連接第一功率放大器201的輸入端,所述第一單刀雙擲開關301的公共端連接矢量信號源102的輸出端,第一單刀雙擲開關301的第一、第二測試端分別連接第二功率放大器202的輸入端和第三單刀雙擲開關303的第二測試端,所述第一、第二功率放大器201,202的輸出端共同連接3dB電橋401的輸入端,所述3dB電橋401的兩個輸出端分別連接負載501和耦合器601的輸入端;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南京納特通信電子有限公司,未經南京納特通信電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320167420.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體結構的形成方法、晶體管的形成方法
- 下一篇:半導體器件結構的制造方法





