[實(shí)用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320163013.1
• 申請(qǐng)日: 2013-03-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203398105U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 森涼;福岡一樹(shù);森野直純;出口善宣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L23/528
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張臻賢

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)基于通過(guò)引用將公開(kāi)內(nèi)容整體結(jié)合于此的、于2012年3月27日提交的第2012-070840號(hào)日本專利申請(qǐng)并且要求對(duì)該申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。?

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，并且例如涉及一種包括電極焊盤(pán)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。?

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件包括用于連接到外部電極端子的電極焊盤(pán)。這一電極焊盤(pán)也用來(lái)檢查這一半導(dǎo)體器件的電氣性質(zhì)。具體而言，使檢查設(shè)備的探針與電極焊盤(pán)接觸，并且經(jīng)由探針向半導(dǎo)體器件賦能以便檢查半導(dǎo)體器件的電氣性質(zhì)。以這一方式，在檢查半導(dǎo)體器件的電氣性質(zhì)時(shí)使檢查裝置的探針與電極焊盤(pán)接觸時(shí)，所以對(duì)電極焊盤(pán)施加大應(yīng)力、由此可能損壞電極焊盤(pán)和半導(dǎo)體器件。?

公開(kāi)號(hào)為2002-76075的日本待審專利申請(qǐng)公開(kāi)了一種涉及半導(dǎo)體器件的技術(shù)，該技術(shù)能夠通過(guò)在空閑I／O區(qū)域上利用頂部布線層形成測(cè)試電極焊盤(pán)來(lái)減小芯片尺寸。公開(kāi)號(hào)為2006-351588的日本待審專利申請(qǐng)公開(kāi)了一種涉及半導(dǎo)體器件的技術(shù)，該技術(shù)能夠防止鍵合所引起的對(duì)電極焊盤(pán)的損壞。公開(kāi)號(hào)為2009-170763的日本待審專利申請(qǐng)公開(kāi)了一種涉及半導(dǎo)體器件的技術(shù)，該技術(shù)能夠防止由于向半導(dǎo)體器件的電極焊盤(pán)施加的外力而在電極焊盤(pán)下面的絕緣膜中生成裂縫。?

實(shí)用新型內(nèi)容

如在背景技術(shù)中說(shuō)明的那樣，在使檢查設(shè)備的探針與電極焊盤(pán)接觸來(lái)檢查半導(dǎo)體器件的電氣性質(zhì)時(shí)對(duì)電極焊盤(pán)施加大應(yīng)力。探針的接觸所產(chǎn)生的應(yīng)力可能損壞在半導(dǎo)體器件上形成的電路元件。出于這一原因，在電路元件的布局中需要約束，從而不應(yīng)在電極焊盤(pán)下面設(shè)置電路元件。?

然而微制作技術(shù)的近來(lái)發(fā)展有助于減小電路元件的尺寸并且因此減小芯片尺寸。同時(shí)，半導(dǎo)體器件的電極焊盤(pán)的數(shù)目隨著半導(dǎo)體器件的功能數(shù)目增加而增加。因而，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)電極焊盤(pán)占用的面積與芯片面積之比增加并且鑒于電極焊盤(pán)的位置而對(duì)電路元件的布局的約束阻止減小芯片尺寸這樣的問(wèn)題。?

其它問(wèn)題和新特征將從本說(shuō)明書(shū)中的描述和所附的附圖中變得清楚。?

本實(shí)用新型的一個(gè)方面是一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括具有第一電路區(qū)域的襯底、由層疊的多個(gè)布線層和多個(gè)過(guò)孔層組成的多層布線層以及在多層布線層上形成的電極焊盤(pán)。另外，在作為多個(gè)布線層的頂層的第一布線層的區(qū)域中形成層間絕緣膜，在該區(qū)域中，電極焊盤(pán)和第一電路區(qū)域在電極焊盤(pán)的平面視圖中相互重疊。?

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施方式，所述襯底還包括其中形成與所述第一電路元件相比更少易受應(yīng)力影響的第二電路元件的第二電路區(qū)域，并且所述電極焊盤(pán)在所述電極焊盤(pán)的所述平面視圖中與所述第一電路區(qū)域和所述第二電路區(qū)域重疊。?

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施方式，所述電極焊盤(pán)包括第一焊盤(pán)區(qū)域和其中施加比對(duì)所述第一焊盤(pán)區(qū)域施加的應(yīng)力更大的應(yīng)力的第二焊盤(pán)區(qū)域，并且在所述第一布線層的區(qū)域中形成層間絕緣膜，在所述區(qū)域中，所述第二焊盤(pán)區(qū)域和所述第一電路區(qū)域在所述電極焊盤(pán)的所述平面視圖中相互重疊。?

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施方式，在所述第一布線層的區(qū)域的至少一部分中形成第一導(dǎo)體圖案，在所述區(qū)域中，除了所述第二焊?盤(pán)區(qū)域之外的區(qū)域和所述第一電路區(qū)域在所述電極焊盤(pán)的所述平面視圖中重疊。?

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施方式，在第二布線層中越過(guò)所述第一焊盤(pán)區(qū)域和所述第二焊盤(pán)區(qū)域形成第二導(dǎo)體圖案，所述第二布線層是緊接于所述第一布線層下面的布線層，并且經(jīng)過(guò)過(guò)孔連接所述第一導(dǎo)體圖案和所述第二導(dǎo)體圖案。?

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施方式，在所述電極焊盤(pán)的所述平面視圖中，在所述第一電路區(qū)域的側(cè)部上形成所述第一焊盤(pán)區(qū)域，并且在所述第二電路區(qū)域的側(cè)部上形成所述第二焊盤(pán)區(qū)域。?

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施方式，向在所述電極焊盤(pán)的外圍中的與所述第二焊盤(pán)區(qū)域?qū)?yīng)的部分形成突出物。?

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施方式，所述第一焊盤(pán)區(qū)域的在與所述電極焊盤(pán)的縱向方向垂直的方向上的長(zhǎng)度不同于所述第二焊盤(pán)區(qū)域的在與所述電極焊盤(pán)的所述縱向方向垂直的方向上的長(zhǎng)度。?

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施方式，在內(nèi)部電路區(qū)域中形成所述第一電路區(qū)域，并且在I／O電路區(qū)域中形成所述第二電路區(qū)域。?

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施方式，沿著所述半導(dǎo)體器件的周界設(shè)置所述I／O電路區(qū)域以包圍所述內(nèi)部電路區(qū)域。?