[實用新型]一種制程簡化的肖特基器件有效
| 申請號： | 201320162184.2 | 申請日： | 2013-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN203445132U | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發明（設計）人： | 關世瑛;楊忠武;王金秋 | 申請（專利權）人： | 上海安微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 200233 上海市徐匯*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 簡化 肖特基 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種制程簡化的肖特基器件，其特征在于：
A、背面金屬層（1），為器件的陰極，用于導電焊接的金屬材料；
B、襯底層（2），為高濃度N傳導類型半導體材料；
C、外延層（3），為低濃度N傳導類型半導體材料；
D、勢壘層（4），為由薄膜勢壘金屬與外延層（3）頂部的N型半導體材料合金形成的肖特基勢壘層；
E、正面金屬層（5），為器件的陽極，用于導電焊接的金屬材料；
F、隔離層（6），為有機絕緣材料；
G、臺面腐蝕槽（7），為襯底層（2）、外延層（3）的N傳導類型半導體材料腐蝕后的表面層，被隔離層（6）覆蓋的部分；
H、臺面腐蝕劃片線（8），為襯底層（2）的N傳導類型半導體材料腐蝕后的表面層，無隔離層（6）覆蓋的部分。
2.如權利要求1所述的肖特基器件，其特征在于：所述的肖特基勢壘層邊緣設有光滑臺面腐蝕槽（7）。
3.如權利要求1所述的肖特基器件，其特征在于：所述的半導體器件的臺面腐蝕槽（7）上涂覆低溫固化的有機絕緣材料8000埃-10000埃厚的隔離層（6）。
4.如權利要求1所述的肖特基器件，其特征在于：所述的肖特基勢壘層（4）是由濺射的薄層勢壘金屬與外延層頂部的N型半導體材料通過450℃-500℃氮氣合金形成。
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