[實用新型]一種藍寶石C軸生長熱場裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320160906.0
• 申請日: 2013-04-02
• 公開（公告）號: CN203200375U
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周虹;婁中士;方建雄;金啟源;劉海濱
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州海鉑晶體有限公司
• 主分類號: C30B29/20
• 分類號: C30B29/20;C30B35/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 李鳳嬌

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種晶體生長領(lǐng)域的熱場裝置，尤其涉及一種藍寶石C軸生長熱場裝置。

背景技術(shù)

藍寶石晶體A軸生長比較普及，但掏棒良率低，C軸生長掏棒良率高，但C軸難生長。若晶體生長界面與生產(chǎn)方向的法向面交角小時，由于嚴重的底面滑移，易產(chǎn)生大量的晶界；相反，生長界面與法向面交角增大時，晶界就不易形成。凸界面生長時，穩(wěn)定性比較好，但凸界面生長也會導致小面與等溫面生長共存的情況，晶體的軸心與邊緣出現(xiàn)高位錯密度區(qū)。熱場內(nèi)的鎢加熱體、鎢鉬材料所制的坩堝以及氧化鋁熔體會發(fā)生化學反應，反應所產(chǎn)生的氣體即為晶體中氣泡內(nèi)氣體的主要來源。當晶體生長速率過快或生長速率波動過大時，反應生成的氣體很容易被俘獲，從固/液界面裹入到晶體中而保存下來。如果晶體的生長界面微凸向熔體時，所生成的氣體就容易被熔體中的自然對流帶走，從而在熔體中充分擴散并從熔體的自由液面排出；而如果生長界面為平界面或凹界面時，氣體雜質(zhì)則容易被俘獲，從而裹入晶體，形成晶體中的氣泡。現(xiàn)有技術(shù)中熱場裝置難以控制藍寶石晶體C軸生長界面形狀，晶體品質(zhì)就難以保證。

實用新型內(nèi)容

發(fā)明目的：本實用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種藍寶石C軸生長熱場裝置，有利于固液界面成為凸面狀生長，提高了得到大單晶的機率。

技術(shù)方案：為了實現(xiàn)以上目的，本實用新型所述的一種藍寶石C軸生長熱場裝置，包括加熱體、坩堝、中軸和反射隔熱板，其特征在于：所述反射隔熱板套在中軸上，反射隔熱板由若干直徑不同的隔熱板組成，所述隔熱板按從上到下直徑遞增疊置。

有益效果：本實用新型提供的藍寶石C軸生長熱場裝置，減少了加熱體對中軸的熱輻射，加熱體下部的熱輻射被傘形反射隔熱板反射到坩堝底部錐面，相對減少了坩堝底部錐面的熱量耗散,同時也增強了中軸熱量耗散作用。這種傘形反射隔熱板使坩堝底部錐面的溫度提高而使晶體四周生長緩慢但相對加快中心部分的生長，這有利于固液界面成為凸面狀生長，提高了得到大單晶的機率。

附圖說明

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施例，進一步闡明本實用新型。

如圖1所示，藍寶石C軸生長熱場裝置主要包括加熱體1、坩堝2、中軸3和反射隔熱板4，坩堝2通常由鎢鉬材料制成，用于盛放氧化鋁熔體，坩堝2設(shè)置在加熱體1中間，由加熱體1對坩堝2及其內(nèi)盛放的氧化鋁進行輻射加熱。坩堝2設(shè)置有錐形底部，并由錐形底部的中央向下引出中軸3，反射隔熱板4套設(shè)在中軸3上，反射隔熱板由若干不同直徑的隔熱板4組成，隔熱板4按從上到下直徑遞增疊置，因此反射隔熱板形成向坩堝2底部凸起的錐面以反射加熱體1的熱輻射至坩堝2底部。

上述實施例只為說明本實用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的是讓熟悉該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此來限制本實用新型的保護范圍。凡根據(jù)本實用新型精神實質(zhì)所作出的等同變換或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。