[實用新型]濺射鍍膜裝置

有效

• 申請號: 201320159170.5
• 申請日: 2013-04-01
• 公開（公告）號: CN203284455U
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 陳罡;閆志博
• 申請（專利權）人: 煙臺金瑞石英晶體有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411
• 代理人: 鄭自群

技術領域

本實用新型涉及鍍膜技術領域，特別是指一種濺射鍍膜裝置。

背景技術

現有技術方案，是采用熱蒸鍍的方式，在真空下，銀在金屬材料鉬做成的電極上被加熱，使銀熔化蒸發，銀蒸氣擴散，到達掩膜板遮擋下的被鍍元件上，在被鍍元件表面掩膜板預留區域形成銀膜。這種熱蒸鍍的方式主要存在以下缺點：

⑴銀材一次性利用率低。熱蒸鍍方式下，由于蒸發電極離被鍍元件距離遠，銀蒸氣擴散后的方向不確定，超過95%的銀沉積在真空室內壁和旋轉機構上，給回收帶來極大的麻煩，同時廢銀返廠再加工還會帶來一定的經濟損失，導致最終能利用到被鍍元件上的銀<5%。

⑵銀膜牢固度不佳。為了避免蒸發過程中蒸發源的熱幅射影響到由于蒸發電極離被鍍元件距離的關系，銀原子動能不足，只有0.1－0.2eV(電子伏特），在到達被鍍元件時的附著力會受到影響，銀膜結構疏松，膜層結構的缺陷比較多。

⑶時間長。熱蒸鍍方式下，電極位于被鍍元件一側，要達到被鍍元件兩側均勻覆蓋銀膜的預期目標，只能加工完一側后，將裝有被鍍元件的夾具翻轉，再重復一次蒸鍍，才能達到兩側均有銀膜的目的，相當于兩次加工，時間上存在一定的浪費。

⑷被鍍元件受力不均勻，容易產生應力影響。由于熱蒸鍍方式下，一次只能對一側進行鍍膜加工，被鍍元件一側受到來自銀原子的熱量和沖擊影響，一側溫度會上升，這樣兩側溫度不一致，產生受熱、受力不均勻，對膜層產生應力影響。

⑸由于被鍍材料需要熔化，大多數的設備結構是：蒸發源在下，工件在上，蒸發源是一個點源，存在被鍍元件表面沉積均勻性的問題。

實用新型內容

本實用新型提出一種濺射鍍膜裝置，解決了現有技術中鍍膜材料一次性利用率低、鍍膜牢固度不佳、鍍膜時間長、被鍍元件受力不均勻、鍍膜沉積均勻性不佳的問題。

本實用新型的技術方案是這樣實現的：濺射鍍膜裝置，包括：

真空室，所述真空室底部敞口設置；

底板，所述底板設于所述真空室底部敞口下方，且所述底板形狀與所述真空室底部敞口形狀相適應；

夾具旋轉機構，所述夾具旋轉機構的轉軸豎直貫穿所述底板中央，所述轉軸的底部和頂部分別連接有動力裝置和支撐盤，所述支撐盤水平設置且邊緣豎直設有至少一個夾具支撐架，所述夾具支撐架上固定有被鍍工件夾具；

至少一個靶體，所述靶體與所述夾具支撐架平行設置，所述靶體內腔裝有磁鐵，所述靶體面對所述夾具支撐架的一側設有靶材；

水冷裝置，所述水冷裝置通過管道與所述靶體一端連通。

作為對上述技術方案的改進，所述靶體為矩形平面靶體，所述矩形平面靶體內腔靠近所述夾具支撐架的一側設有磁鐵，所述矩形平面靶體面對所述夾具支撐架的一側設有矩形平面靶材。

作為對上述技術方案的改進，所述靶體為旋轉圓柱靶體，所述靶體內腔和表面分別設有磁鐵和筒狀靶材，所述靶體一端設有轉動軸，所述轉動軸與動力裝置連接。

作為對上述技術方案的進一步改進，所述真空室頂部設有圓柱體耳室，所述靶體上部貫穿所述圓柱體耳室。

作為對上述技術方案的進一步改進，所述靶體下部貫穿所述底板。

作為對上述技術方案的改進，所述真空室為鐘罩形、圓筒形、方形。

作為對上述技術方案的進一步改進，所述真空室設有側開門。

作為對上述技術方案的改進，所述靶體為偶數個且相向設置。

動力裝置為減速電機。

采用了上述技術方案后，本實用新型的有益效果是：

⑴靶材利用率得到提高。由于濺射靶的方向性好，真空室內壁沉積的靶材只占少數，進而提高了一次性利用率。矩形平面靶體的靶材一次性利用率能達到25%～35%；旋轉圓柱靶體的靶材利用率最高能達70%以上。靶材一次性利用率遠遠高于熱蒸鍍技術，節約了人工成本和材料的再生成本。

⑵鍍膜牢固度高。靶材到被鍍元件距離較近，在電子的作用下，靶材原子的動能可達到1－10eV，濺射膜層的附著力、膜層密度比蒸發膜層好，膜層針孔小少，綜合來看，膜層的質量比蒸發膜層要優良得多。

⑶時間縮短。濺射工藝下，被鍍元件兩側同時進行濺射，可縮短加工時間，且裝被鍍元件的夾具不需要翻轉，減輕了對石英日片的振動。

⑷被鍍元件受力均勻。濺射工藝下，兩側同時濺射，兩側同時受力，被鍍元件受力均勻，不會對銀膜產生影響。

⑸由于靶材表面不存在熔化過程，所以，真空室內濺射靶可以放在任何地方，裝載被鍍元件的夾具在靶的對面平行放置，靶材相當于一個面源，比蒸鍍工藝下的點源更能得到一個均勻的銀膜。

附圖說明