[實(shí)用新型]一種六脈沖整流穩(wěn)壓電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320158762.5 | 申請日: | 2013-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN203180797U | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李根林;卓如剛 | 申請(專利權(quán))人: | 揚(yáng)州藍(lán)海電氣有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/162 | 分類號: | H02M7/162;H02M1/14 |
| 代理公司: | 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102 | 代理人: | 任利國 |
| 地址: | 225004 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 脈沖 整流 穩(wěn)壓 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種穩(wěn)壓電路,特別涉及一種六脈沖整流穩(wěn)壓電路。
背景技術(shù)
將交流電變?yōu)橹绷麟姷倪^程稱為整流,承擔(dān)整流任務(wù)的電路稱為整流電路。整流電路按波形分為半波整流和全波整流;按相數(shù)分為單相整流和三相整流等。近年來,IGBT整流穩(wěn)壓電路得到越來越廣泛的應(yīng)用。
IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,?兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT?的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP?晶體管提供基極電流,使IGBT?導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT?關(guān)斷。
現(xiàn)有的六脈沖整流穩(wěn)壓電路,六個IGBT模塊構(gòu)成整流橋,三相主電源分別接入所述六個IGBT模塊的輸入端,所述六個IGBT模塊的輸出端通過止逆二極管和濾波電容器與負(fù)載連接,IGBT控制器的輸出端分別與所述六個IGBT模塊相連接。由于三相主電源存在較多的諧波,影響整流后的波形。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于,克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,提供一種六脈沖整流穩(wěn)壓電路,能抑制輸出諧波電流,整流后的波形更加平穩(wěn)。
為解決以上技術(shù)問題,本實(shí)用新型的六脈沖整流穩(wěn)壓電路,六個IGBT模塊構(gòu)成整流橋,三相主電源分別接入所述六個IGBT模塊的輸入端,所述六個IGBT模塊的輸出端通過止逆二極管和濾波電容器與負(fù)載連接,IGBT控制器的輸出端分別與所述六個IGBT模塊相連接,其特征在于:所述三相主電源的各相分別串聯(lián)電抗器后接入所述六個IGBT模塊的輸入端,所述電抗器與所述IGBT模塊之間安裝有消諧電容器組,所述消諧電容器組的電容呈三角形連接且分別并聯(lián)在各相之間。
相對于現(xiàn)有技術(shù),本實(shí)用新型取得了以下有益效果:在IGBT模塊前安裝電抗器和消諧電容器組,可以限制電網(wǎng)電壓突變和操作過電壓引起的電流沖擊,既能阻止來自電網(wǎng)的干擾,又能減少整流單元產(chǎn)生的諧波電流對電網(wǎng)的污染。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案,所述三相主電源與所述電抗器之間設(shè)有避雷器。
附圖說明
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,附圖僅提供參考與說明用,非用以限制本實(shí)用新型。
圖1為本實(shí)用新型六脈沖整流穩(wěn)壓電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:FSU.避雷器;L.電抗器;C1.?消諧電容器組;D.止逆二極管;C2.濾波電容器;Rf.負(fù)載。
具體實(shí)施方式
如圖1所示,本實(shí)用新型的六脈沖整流穩(wěn)壓電路,三相主電源與電抗器L之間設(shè)有避雷器FSU。六個IGBT模塊構(gòu)成整流橋,三相主電源分別接入六個IGBT模塊的輸入端,IGBT控制器的輸出端分別與六個IGBT模塊相連接,三相主電源的各相分別串聯(lián)電抗器L后接入六個IGBT模塊的輸入端,電抗器L與IGBT模塊之間安裝有消諧電容器組C1,消諧電容器組C1的電容呈三角形連接且分別并聯(lián)在各相之間;六個IGBT模塊的輸出端通過止逆二極管D和濾波電容器C2與負(fù)載Rf連接。
以上所述僅為本實(shí)用新型之較佳可行實(shí)施例而已,非因此局限本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍。除上述實(shí)施例外,本實(shí)用新型還可以有其他實(shí)施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術(shù)方案,均落在本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
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