[實用新型]推挽式芯片翻轉半橋磁阻開關有效
| 申請號: | 201320156753.2 | 申請日: | 2013-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN203233390U | 公開(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發明(設計)人: | 白建民;沈衛鋒;雷嘯風;張小軍;鐘小軍 | 申請(專利權)人: | 江蘇多維科技有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/97 | 分類號: | H03K17/97 |
| 代理公司: | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人: | 張雪梅 |
| 地址: | 215600 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 推挽式 芯片 翻轉 磁阻 開關 | ||
1.一種推挽式半橋磁阻開關,包括兩個磁傳感芯片,每個磁傳感芯片具有一個磁感應電阻器以及磁感應電阻器的電氣連接焊盤,其特征在于:
所述兩個磁傳感芯片電氣互連,二者感應方向反平行,構成推挽式半橋電路,
所述磁感應電阻器包括一個或多個串聯連接的磁電阻元件,
所述磁感應電阻器的焊盤位于所述磁傳感芯片的相鄰邊,且每一焊盤能夠容納至少兩個焊線的焊接。
2.根據權利要求1所述的推挽式半橋磁阻開關,其特征在于:該開關還包括至少一個用于將所述推挽式半橋電路的輸出信號轉換成開關信號的ASIC。
3.根據權利要求1所述的推挽式半橋磁阻開關,其特征在于:每個磁傳感芯片包括至少三個電氣連接點。
4.根據權利要求2所述的推挽式半橋磁阻開關,其特征在于:該開關至少包括電源端子,接地端子和輸出端子,通過導電的引線框架上的鍵合點、引線框架上的鍵合引線,實現各端子與所述磁傳感芯片以及ASIC的連接。
5.一種推挽式半橋磁阻開關,包括兩個磁傳感芯片,每個磁傳感芯片具有一個磁感應電阻器以及磁感應電阻器的電氣連接焊盤,其特征在于:
所述兩個磁傳感芯片電氣互連,二者感應方向反平行,構成推挽式半橋電路,
所述磁感應電阻器包括一個或多個串聯連接的磁電阻元件,
所述磁感應電阻器的焊盤位于所述磁傳感芯片角落處,且位于對角的焊盤與磁感應電阻器的同一端子電氣連接。
6.根據權利要求5所述的推挽式半橋磁阻開關,其特征在于:該開關還包括至少一個用于將所述推挽式半橋電路的輸出信號轉換成開關信號的ASIC。
7.根據權利要求5所述的推挽式半橋磁阻開關,其特征在于:每個磁傳感芯片至少有三個電氣連接點。
8.根據權利要求6所述的推挽式半橋磁阻開關,其特征在于:該開關至少包括電源端子,接地端子和輸出端子,通過導電的引線框架以及引線框架上的引線,實現端子與所述磁傳感芯片以及ASIC的連接。
9.根據權利要求1或5所述的推挽式半橋磁阻開關,其特征在于:所述磁電阻元件是MTJ元件。
10.根據權利要求1或5所述的推挽式半橋磁阻開關,其特征在于:所述磁電阻元件是GMR元件。
11.根據權利要求1或5所述的推挽式半橋磁阻開關,其特征在于:所述磁電阻元件是AMR元件。
12.根據權利要求1或5所述的推挽式半橋磁阻開關,其特征在于:所述磁電阻元件利用片上永磁體進行磁偏置。
13.根據權利要求1或5所述的推挽式半橋磁阻開關,其特征在于:所述磁電阻元件利用堆棧進行磁偏置。
14.根據權利要求1或5所述的推挽式半橋磁阻開關,其特征在于:所述磁電阻元件利用形狀各向異性進行磁偏置。
15.根據權利要求1或5所述的推挽式半橋磁阻開關,其特征在于:所述兩個磁傳感芯片被布置為感應軸方向相同,并且感應軸的方向與兩個磁傳感芯片中心之間的連線平行或垂直。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇多維科技有限公司,未經江蘇多維科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320156753.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





