[實用新型]靜電保護電路及其電池保護電路有效
| 申請號: | 201320156659.7 | 申請日: | 2013-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN203277382U | 公開(公告)日: | 2013-11-06 |
| 發明(設計)人: | 王釗;尹航 | 申請(專利權)人: | 無錫中星微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H02H7/18;H02H9/04 |
| 代理公司: | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人: | 戴薇 |
| 地址: | 214028 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 保護 電路 及其 電池 | ||
1.一種集成電路的靜電保護電路,所述集成電路具有第一連接端和第二連接端,其特征在于,所述靜電保護電路包括連接于第一連接端和第二連接端之間的靜電保護器件,該靜電保護器件包括P型襯底,沿所述P型襯底的上表面向下延伸至P型襯底中的N阱,位于所述P型襯底和所述N阱上的柵氧層,位于所述柵氧層上的柵極,沿所述P型襯底的上表面向下延伸至P型襯底中的第一P+有源區和第一N+有源區,沿所述N阱的上表面向下延伸至N阱中的第二P+有源區和第二N+有源區,?
其中,所述第一P+有源區和第一N+有源區相互間隔,且第一N+有源區緊鄰所述柵氧層,所述第二P+有源區和第二N+有源區相互間隔,且所述第二P+有源區較第二N+有源區更接近所述柵氧層,N+有源區的N型摻雜濃度較N阱的N型摻雜濃度高,?
第一P+有源區、第一N+有源區和柵極與第二連接端相連,第二P+有源區和第二N+有源區與第一連接端相連。?
2.根據權利要求1所述的靜電保護電路,其特征在于,其還包括連接于柵極與第一連接端的第一電阻。?
3.根據權利要求1或者2所述的靜電保護電路,其特征在于,其特征在于,所述靜電保護器件包括寄生NPN型雙極晶體管和寄生PNP型雙極晶體管,?
所述寄生NPN型雙極晶體管包括第一N+有源區、P型襯底和N阱;?
所述寄生PNP型雙極晶體管包括第二P+有源區、N阱和P型襯底。?
4.一種集成電路的靜電保護電路,所述集成電路具有第一連接端和第二連接端,其特征在于,所述靜電保護電路包括連接于第一連接端和第二連接端之間的靜電保護器件,該靜電保護器件包括P型襯底,沿所述P型襯底的上表面向下延伸至P型襯底中的N阱,沿所述P型襯底的的上表面向下延伸至P型襯底中的第一P+有源區和第一N+有源區,沿所述N阱的上表面向下延伸至N阱中的第二P+有源區和第二N+有源區,?
其中,所述第一P+有源區和第一N+有源區相互間隔;所述第二P+有源區和第二N+有源區相互間隔,且所述第二P+有源區較所述第二N+有源區距所述第一N+有源區更近,N+有源區的N型摻雜濃度較N阱的N型摻雜濃度高,?
其中,由第一P+有源區和第一N+有源區與第二連接端相連,第二P+有源區和第二N+有源區與第一連接端相連。?
5.根據權利要求1或4所述的靜電保護電路,其特征在于,所述N阱為構成5V標準PMOS的襯體層次。?
6.一種電池保護電路,其包括與電池電芯負極連接的電池電芯負極連接端VSS和與電池電芯正極連接的電源端VDD,?
其特征在于,其還包括連接于電池電芯負極連接端VSS和電源端VDD之間的如權利要求1-5任一所述的靜電保護電路,其中電源端VDD為第一連接端,電池電芯負極連接端VSS為第二連接端。?
7.根據權利要求6所述的電池保護電路,其特征在于,其包括內部電路和設置于電源端VDD和內部電路之間的限壓電路,所述內部電路用于對電池電芯的充放電狀態進行檢測,并通過充電控制端輸出充電控制信號,通過放電控制端輸出放電控制信號,所述限壓電路用于限定所述內部電路的工作電壓小于等于一電壓閾值。?
8.根據權利要求7所述的電池保護電路,其特征在于,所述限壓電路的限壓輸出端通過電阻R4連接于電源端VDD,所述限壓電路的限壓輸出端給內部電路提供電源。?
9.根據權利要求7或者8所述的電池保護電路,其特征在于,所述限壓電路包括NMOS晶體管,該NMOS晶體管的漏極用作所述限壓輸出端VLIM,源極、柵極相連并接地。?
10.根據權利要求7或者8所述的電池保護電路,其特征在于,所述限壓電路包括NMOS晶體管和運算放大器,所述NMOS晶體管的漏極用作所述限壓輸出端VLIM,源極接地;所述運算大器的正向輸入端與所述NMOS晶體管的漏極相連,其負向輸入端輸入參考電壓,其輸出端與所述NMOS晶體管的柵極相連。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





