[實用新型]一種短視可控電抗器補償裝置

有效

• 申請號: 201320154695.X
• 申請日: 2013-03-31
• 公開（公告）號: CN203135435U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 施靈;許敏;韓浩江;沈浩;童俊;錢耀興
• 申請（專利權）人: 國家電網公司;上海市電力公司
• 主分類號: H02H9/08
• 分類號: H02H9/08
• 代理公司: 上海三和萬國知識產權代理事務所(普通合伙) 31230
• 代理人: 蔡海淳

技術領域

本實用新型屬于緊急保護領域，尤其涉及一種用于變電站接地故障的補償裝置。

背景技術

目前，電力系統35kV及以下電壓等級的配電網中性點接地點方式主要有以下幾種：一、中性點不接地；二、中性點經電阻接地（以小電阻接地方式為主）；三、諧振接地方式（中性點經消弧線圈接地）。

在中性點不接地系統中，當發生一相故障時，接在相間電壓上的受電器的供電并未遭遇破壞，它們可以繼續運行，但是這時非故障相電壓升高，絕緣薄弱點很可能被擊穿，從而引起相接地短路，嚴重損壞電氣設備。

而且，在中性點不接地系統中，當接地的電容電流較大時，在接地處引起的電弧很難自行熄滅，還可能出現間隙電弧(即周期性地熄滅與重燃的電弧)。由于電網是一個具有電感和電容的振蕩回路，間歇電弧會引起相對地的過電壓，這種過電壓會傳輸到與接地點有直接電連接的整個電網上，更容易引起另一相對地擊穿，而形成兩相接地短路。

在現有技術中，為了解決中性點不接地帶來的問題，一般采用“消弧線圈接地”或者“小電阻接地”兩種方式。

在上述接地方式中，前者以中性點經消弧線圈（諧振）接地為代表，后者以低電阻接地為代表。長期以來，兩者互有優缺點，因此在不同的國家和地區均有了相當的發展。

傳統的“消弧線圈接地”方式能自動消除瞬時性單相接地故障，具有減少跳閘次數、降低接地故障電流的優點，但由于不能切除非瞬時性單相接地故障，整個配電系統須承受較長時間（2小時）的工頻過電壓（線電壓），因此對設備的絕緣水平要求高，這對配電系統設備（尤其對于某些進口設備，如電纜）是不利的；同時單相接地故障的長時間存在也不利于設備及人身安全。而且傳統的“消弧線圈接地”系統里面的故障選線，一直是一個技術難題，實際選線準確率很低。

“低阻接地”方式可避免配電系統出現長時間工頻過電壓的問題，對設備絕緣要求相對較低，不足之處在于系統中任何單相接地故障都跳閘，導致跳閘率過高，降低了供電可靠性。

因此，這兩種接地方式都各有利弊，只能適用于一定的條件，迫切需要尋求一種更完善的新型接地方式。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種短視可控電抗器補償裝置，其采用短路阻抗作為工作阻抗，因而其伏安特性可保證在0-110%額定電壓范圍內保持極佳的線性度，其響應速度極快，且輸出電流可在0-100%額定電流間連續無級調節；與傳統的消弧線圈等相比，其結構簡單,噪音小，不帶任何轉動或傳動機構，無有載開關和接觸器。

本實用新型的技術方案是：提供一種短視可控電抗器補償裝置，包括與電網或變壓器中心點連接的消弧線圈，其特征是：所述消弧線圈的一次繞組接入電網中性點；所述消弧線圈的二次繞組的輸出端，設置有兩個反向并接的可控硅，所述兩個反向并接的可控硅包括第一可控硅和第二可控硅，所述第一、第二可控硅反向并接后與所述消弧線圈二次繞組的兩個輸出端分別對應連接；所述第一、第二可控硅的控制極分別與第一、第二觸發控制器的觸發信號輸出端對應連接。

其所述可控硅的導通角為0～180度。

其所述的第一、第二觸發控制器為常規可控硅導通角觸發控制器。

與現有技術比較，本實用新型的優點是：

1.因采用短路阻抗而不是勵磁阻抗作為工作阻抗，因而其伏安特性可保證在0-110%額定電壓范圍內保持極佳的線性度；

2.因采用可控硅控制，因而其響應速度極快，且輸出電流可在0-100%額定電流間連續無級調節；采用隨調式控制，正常運行時電網遠離諧振點，無需容易產生問題的阻尼電阻；

3.與傳統的消弧線圈等相比，其結構簡單,噪音小，不帶任何轉動或傳動機構，無有載開關和接觸器。

附圖說明

圖1是本實用新型的電路結構示意圖；

圖2是本實用新型的等效電路示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型做進一步說明。

圖1中，本技術方案提供了一種短視可控電抗器補償裝置，包括與電網或變壓器中心點連接的消弧線圈，其所述消弧線圈一次繞組作為工作繞組NW接入電網中性點；所述消弧線圈的二次繞組作為控制繞組CW由兩個反向并接的可控硅SCR短路，可控硅的導通角由觸發控制器控制。

由圖可知，所述兩個反向并接的可控硅包括第一可控硅和第二可控硅，所述第一、第二可控硅反向并接后與所述消弧線圈二次繞組的兩個輸出端分別對應連接。

所述第一、第二可控硅的控制極分別與第一、第二觸發控制器的觸發信號輸出端對應連接。

其所述可控硅的導通角為0～180度。