[實用新型]一種干刻蝕裝置的下部電極及干刻蝕裝置有效
| 申請號： | 201320149157.1 | 申請日： | 2013-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN203134749U | 公開（公告）日： | 2013-08-14 |
| 發明（設計）人： | 趙吾陽;蔣冬華;倪水濱 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/04 | 分類號： | H01J37/04;H01J37/30 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 刻蝕 裝置 下部 電極 | ||
【權利要求書】：
1.一種干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，包括：電極基底和設置于所述電極基底上的陶瓷層；其中，
所述陶瓷層具有供冷卻氣體通過的多個吹氣孔，以及設置于所述陶瓷層周邊且凸出所述陶瓷層上表面的凸臺。
2.如權利要求1所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述凸臺相對于所述陶瓷層上表面的高度為30～60um。
3.如權利要求2所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述凸臺為陶瓷凸臺。
4.如權利要求3所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述凸臺與所述陶瓷層為一體化結構。
5.如權利要求1所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述陶瓷層上表面的粗糙度為0.2～0.6。
6.如權利要求1所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述吹氣孔為圓形孔。
7.如權利要求1所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述電極基底為鋁電極基底。
8.如權利要求1-7任一所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，還包括：設置于所述陶瓷層中的靜電吸附層，且所述靜電吸附層位于所述電極基底上方。
9.一種干刻蝕裝置，其特征在于，包括：如權利要求1-8任一所述的干刻蝕裝置的下部電極。
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