[實用新型]柔性薄膜太陽能電池有效
| 申請號: | 201320147975.8 | 申請日: | 2013-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN203150561U | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發明(設計)人: | 羅毅;葛懷慶;孫友巍;彭為報 | 申請(專利權)人: | 普樂新能源(蚌埠)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/02 | 分類號: | H01L31/02;H01L31/075 |
| 代理公司: | 蚌埠鼎力專利商標事務所有限公司 34102 | 代理人: | 王琪;白京萍 |
| 地址: | 233030 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 薄膜 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池,具體是一種柔性薄膜太陽能電池。
背景技術
能源是人類社會發展的動力,是國民經濟發展和人民生活水平提高的重要物質基礎,隨著石油、煤、天然氣等不可再生能源的消耗,人們把需求的目光投向了可再生能源,如風能、太陽能、水能、生物能等,希望通過對這些可再生能源的開發利用,解決日益嚴重的能源危機問題,太陽能是應用較為廣泛的一種可再生、潔凈能源,是全球普遍推廣的環保能源。太陽能光伏發電技術是近年來太陽能應用領域發展最快、最前沿的技術,其中薄膜太陽能電池因為成本低、污染小而成為研究的熱點。
柔性襯底薄膜太陽能電池由于重量輕、可曲卷的特性,具有便于攜帶、易于建筑一體化和高功率、低重量比的特性,從而在軍用、民用等方面都有良好的使用前景,極大的擴展的太陽能電池的應用空間。但是,柔性太陽能電池仍存在電流低,可沉積襯底與設備不兼容,工藝復雜等問題。
實用新型內容
針對上述柔性太陽能電池的缺點,本實用新型要解決的技術問題是提供一種結構簡單、能夠很大程度上提高電流的柔性薄膜太陽能電池。
為解決上述問題,本實用新型采用如下技術方案:
柔性薄膜太陽能電池,包括不銹鋼襯底、鍍在不銹鋼襯底上的P-I-N功能層、鍍在功能層上的透明的導電膜和鍍在不銹鋼襯底一端的匯流帶,若干條碳線平行排列熱壓于導電膜且碳線一端連接匯流帶,其中功能層由下至上依次為N層、I層和P層。
所述碳線是鍍碳銀線,用銀線做導線可以降低電阻,在銀上鍍碳又可以利用碳粉的柔軟性使減少熱壓時電池短路的概率,保護銀不被硫化;相鄰兩根碳線之間的間距為3?mm?~10?mm,既沒有遮擋大部分光,又足夠的降低了電阻的閥值。
所述不銹鋼襯底的厚度為0.1?mm?~?0.9?mm,保證了電流最大化。
碳線上還熱壓一層透明保護膜,不僅可以固定碳線,還可以防止灰塵等雜質進入電池,而且便于拂去電池表面灰塵,延長電池的使用壽命。
所述P-I-N功能層可以為任意一種太陽能電池功能層。
由透明導電膜引出的電流是固定的,在電池的面積改變的前提下,會出現面積越大,電阻越大,電流越小的問題。本實用新型在透明導電膜上熱壓若干條碳線,電流從碳線上流過并匯集于匯流帶,極大的降低了電阻,增大了電流。
附圖說明
圖1是本實用新型柔性薄膜太陽能電池的主視放大圖。
圖2是本實用新型柔性薄膜太陽能電池的俯視放大圖。
具體實施方式
下面根據附圖結合實施例對本實用新型作進一步的詳細說明。
實施例一:
本實用新型的柔性薄膜太陽能電池,包括厚度為0.1?mm的不銹鋼襯底1、鍍在不銹鋼襯底1上的P-I-N功能層2、鍍在功能層2上的透明的導電膜3和鍍在不銹鋼襯底1一端的匯流帶6,若干條碳線4平行排列熱壓在導電膜3上且碳線4一端連接匯流帶6。碳線4是鍍碳銀線,用銀線作為導線可以減小電流在導線上的消耗,銀線外層鍍碳則可以起到保護銀線不被硫化的目的,電流從碳線上流過,并在匯流帶6上匯集,極大的降低了電阻,增大了電流;相鄰兩根碳線4之間的間距為3?mm,既保證了感光面積,又增大了電流;透明保護膜5熱壓在碳線4上,不影響電池感光,還可以防止灰塵、雨水等雜質進入電池,而且便于擦拭表面的灰塵等,從而增長電池的使用壽命。其中功能層由下至上依次為N層2a、I層2b和P層2c,P-I-N功能層是非晶硅功能層。?
這種電池結構簡單,使電流通過碳線流動,減小了電路消耗,實驗數據顯示:當太陽能電池面積為30?cm2時,熱壓碳線之前電流為9.6?mA,熱壓碳線后電流達到26.3?mA,很大程度上增大了電流,表明本實用新型的柔性薄膜太陽能電池設計合理,效果顯著。
實施例二:
本實用新型的柔性薄膜太陽能電池,包括厚度為0.6?mm的不銹鋼襯底1、鍍在不銹鋼襯底1上的P-I-N功能層2、鍍在功能層2上的透明的導電膜3和鍍在不銹鋼襯底1一端的匯流帶6,若干條碳線4平行排列熱壓在導電膜3上且碳線4一端連接匯流帶6。碳線4是鍍碳銀線,電流從碳線上流過,并在匯流帶6上匯集,極大的降低了電阻,增大了電流;相鄰兩根鍍碳銀線4之間的間距為6?mm,透明保護膜5熱壓在碳線4上,其中功能層由下至上依次為N層2a、I層2b和P層2c,P-I-N功能層是CIGS功能層。
實施例三:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





