[實用新型]與紅外低阻抗光導(dǎo)探測器匹配的CMOS放大電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320139873.1 | 申請日: | 2013-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN203251272U | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 袁紅輝;陳永平;陳世軍 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 |
| 主分類號: | H03F3/45 | 分類號: | H03F3/45 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 200083 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 紅外 阻抗 探測器 匹配 cmos 放大 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本專利涉及一種CMOS電路設(shè)計方法,特別涉及一種能與長波紅外低阻抗光導(dǎo)探測器匹配的低溫下工作的CMOS放大電路。
背景技術(shù)
目前,波長在12微米以上波長的探測器仍以HgCdTe光導(dǎo)型探測器為主,其電阻非常低,為50歐姆左右,很難與高阻的CMOS電路相匹配。部分應(yīng)用甚至要求波長達到15微米,但無論探測器的規(guī)模有多大,幾乎所有的光導(dǎo)探測器都是不帶RIOC的器件,信號的讀出和處理全部通過外圍電子線路完成,對系統(tǒng)應(yīng)用造成很大的限制。目前的紅外焦平面ROIC幾乎都是針對光伏型探測器的。長波光導(dǎo)探測器之所以未實現(xiàn)焦平面集成,主要原因之一是沒有合適的光導(dǎo)型焦平面ROIC。為了實現(xiàn)焦平面集成,減小系統(tǒng)總體噪聲,需要讀出電路與紅外探測器近距離連接,即光導(dǎo)探測器電路也工作在低溫。隨著IC技術(shù)的發(fā)展,CMOS電路的設(shè)計和加工能力得到大幅提高,研制適用于HgCdTe光導(dǎo)型焦平面的ROIC電路已成為可能。事實上,非致冷微測輻射熱計紅外焦平面(Bolometer?UFPA)就是一種常溫工作的光導(dǎo)型焦平面器件,借鑒其ROIC的設(shè)計思路,可以嘗試研制HgCdTe長波光導(dǎo)焦平面的ROIC。
發(fā)明內(nèi)容
本專利的目的是克服現(xiàn)有條件的不足,設(shè)計了一種CMOS電路,在前端采用橋式輸入方式,解決了與低阻抗探測器匹配的問題,該電路可以應(yīng)用到20歐姆到200歐姆低阻抗探測器信號的放大,并能在液氮溫度下工作。
本專利解決的技術(shù)問題是提供一種能適應(yīng)低輸入阻抗光導(dǎo)型探測器的低溫CMOS電路。所述的CMOS放大電路在輸入端采用橋式電路方式,其中一條為探測器與10K歐姆電阻串聯(lián);另一條橋路的電阻采用比值高于200倍的兩個電阻串聯(lián);其雙端輸入單端輸出放大器采用正負電源供電;在負輸入端與輸出之間采用阻值高于1M歐姆的反饋電阻來實現(xiàn)第一級放大;第二級放大采用正端放大方式,放大倍數(shù)高于10倍;橋式輸入、第一級和第二級之間均采用直接耦合。
本專利的特點是:前端為橋式方式,探測器電阻的微小變化能使橋失去平衡,其電壓差直接輸入到放大器的正負輸入端實現(xiàn)差分放大,反饋電阻設(shè)計為1M歐姆,在保證了足夠大的放大倍數(shù)同時又保證了放大器的帶寬。如果流過探測器的電流太大,會使探測器發(fā)熱加劇,增大系統(tǒng)制冷要求,但太小的電流會使探測器產(chǎn)生的電壓信號太小,不利于信號的高性能讀出,所以偏置電阻設(shè)計為10K歐姆,±1.5伏到±5伏供電時流過探測器的電流為500微安到150微安左右。由于與探測器對應(yīng)的橋設(shè)計為10K歐姆和50歐姆,所以從偏置端引入的噪聲到放大器輸入端時能減小200倍,大大減小了系統(tǒng)噪聲。
本專利的特點是:該結(jié)構(gòu)采用兩級放大的方式,兩級之間采用直接連接的方式,防止了電容耦合帶來的噪聲和帶寬問題。第一級設(shè)計了電阻負反饋放大,第二級采用正端放大方式,足夠大的放大倍數(shù)有效地降低了等效輸入噪聲,兩級不同的放大方式有效利用了不同放大方式帶來的優(yōu)點,降低了單一放大方式的多級連接可能帶來的電路振蕩現(xiàn)象。
本專利包含了以下測試結(jié)果:
1經(jīng)過測試,該系統(tǒng)在常溫下其等效輸入噪聲小于3微伏,其常溫的電壓放大倍數(shù)超過1萬倍,3DB帶寬大于10KHZ。
2在低溫下,該放大器與探測器連接后能正常工作,其放大倍數(shù)是常溫的2.5倍,其等效輸入噪聲小于常溫,帶寬大于3KHZ。
附圖說明
圖1橋式輸入方式和低阻抗CMOS放大器第一級。光導(dǎo)探測器、R4、R7、R8構(gòu)成橋式電路。
圖2低阻抗CMOS放大器第二級。為正端放大方式,信號從正端輸入,輸出與輸入同相位。
圖3低阻抗放大器全圖。第一級與第二級之間直接耦合,無耦合電容,該方式能同時放大直流和交流信號。
圖4低阻抗放大器仿真結(jié)果圖。左邊為交流信號仿真,右邊為瞬態(tài)信號仿真結(jié)果。OUT1為第一級輸出信號,OUT2為第二級輸出信號。
具體實施方式
實施例1
圖1為放大器的橋式方式和第一級放大。R4與紅外光導(dǎo)探測器相連,本電路設(shè)計為10K歐姆,若要加大或減小流過光導(dǎo)探測器的電流,可以加大或減小R4的電阻。R7與R4對應(yīng),其阻值應(yīng)設(shè)計為相等,本電路也設(shè)計為10K歐姆。R8與光導(dǎo)探測器對應(yīng),大小設(shè)計與探測器的電阻大小相當(dāng),本電路設(shè)計為50歐姆左右。若探測器的電阻與R8的大小不一致,可以通過調(diào)節(jié)Vbias使電路在靜態(tài)時其輸出電壓為零伏左右。該放大器適合20歐姆到200歐姆低輸入阻抗光導(dǎo)探測器信號的放大。當(dāng)紅外光導(dǎo)探測器接受紅外信號后,其電阻發(fā)生微小變化,引起IN與REF端的電壓差發(fā)生改變,其改變量通過后面的放大器使紅外信號順利讀出。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320139873.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:系統(tǒng)斷電可控電路
- 下一篇:雙向Buck變換器





