[實用新型]基于第n代DRAM開發的第n-x代DRAM有效
| 申請號： | 201320139618.7 | 申請日： | 2013-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN203150544U | 公開（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發明（設計）人： | 亞歷山大;濮必得;談杰 | 申請（專利權）人： | 西安華芯半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/18 | 分類號： | H01L25/18;H01L23/31 |
| 代理公司： | 西安西交通盛知識產權代理有限責任公司 61217 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 710055 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 dram 開發 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于第n代DRAM開發的第n-x代DRAM，其特征在于，包括第n代DRAM存儲器（1）和ASIC芯片（2），所述第n代DRAM存儲器（1）和ASIC芯片（2）封裝在一起形成一個封裝體，即第n-x代DRAM；所述n、x均為自然數，且n≥2，n-x≥1。
2.根據權利要求1所述的基于第n代DRAM開發的第n-x代DRAM，其特征在于，所述封裝體上設有若干引腳，其個數與第n-x代DRAM引腳個數相同。
3.根據權利要求1所述的基于第n代DRAM開發的第n-x代DRAM，其特征在于，所述ASIC芯片（2）用于支持第n代DRAM協議到第n-x代DRAM協議之間的轉換。
4.根據權利要求1所述的基于第n代DRAM開發的第n-x代DRAM，其特征在于，x=1。
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