[實用新型]動態存儲器的列選擇信號驅動電路

有效

• 申請號: 201320138925.3
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN203150142U
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 段會福;俞冰;付妮
• 申請（專利權）人: 西安華芯半導體有限公司
• 主分類號: G11C11/4091
• 分類號: G11C11/4091;G11C11/4063
• 代理公司: 西安西交通盛知識產權代理有限責任公司 61217
• 代理人: 田洲

【技術領域】

本實用新型涉及動態存儲器技術領域，特別涉及一種動態存儲器的列選擇信號驅動電路。?

【背景技術】

如圖1所示，當動態存儲器在讀操作時，列選擇信號線CSL的列選擇信號打開了位線（BL/BL_N）和局部數據線（LDQ/LDQ_N）之間的開關，由于局部數據線（LDQ/LDQ_N）和總數據線（MDQ/MDQ_N）之間的總數據開關MDQS在ACTIVE操作時早已打開，所以數據總線的正信號線MDQ的信號和數據總線的反信號線MDQ_N的信號中的一個會被正位線BL或負位線BL_N拉低，從而使得數據總線的正信號線MDQ與數據總線的負信號線MDQ_N之間有一個電壓差。?

如圖2所示，列選擇信號線CSL的列選擇信號有效后，第二級靈敏放大器SSA的均衡信號線RE_N的信號會變低從而打開數據總線的正信號線MDQ/數據總線的負信號線MDQ_N與第二級靈敏放大器SSA的正輸入信號線MA/第二級靈敏放大器SSA的負輸入信號線MA_N之間的開關，由于數據總線的正信號線MDQ與數據總線的負信號線MDQ_N之間有一個電壓差，第二級靈敏放大器SSA的正輸入信號線MA跟第二級靈敏放大器SSA的負輸入信號線MA_N之間也會有電壓差，當這個電壓差增大到一定程度時，第二級靈敏放大器SSA的均衡信號線RE_N的信號變高關閉數據總線的正信號線MDQ/數據總線的負信號線MDQ_N與第二級靈敏放大器SSA的正輸入信號線MA/第二級靈敏放大器SSA的負輸入信號線MA_N之間的開關，同時第二級靈敏放大器SSA的放大使能信號線CMA的信號變高使得第二級靈敏放大器SSA開始放大操作。?

如圖3所示，現有的列選擇信號驅動電路包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M4、NMOS管M5和第一反相器inv1;PMOS管M1的柵極和NMOS管M4的柵極連接CSL譯碼電路使能信號輸入線csle；PMOS管M2的柵極和NMOS管M5的柵極連接預譯碼結果線predecode；PMOS管M1的源極連接PMOS管M2的源極，PMOS管M1的漏極、PMOS管M2的漏極、第一反相器inv1的輸入端和NMOS管M4的漏極共接，第一反相器inv1的輸出端連接列選擇信號線CSL，NMOS管M4的源極連接?NMOS管M5漏極，NMOS管M5的源極接地。?

如圖4所示，當第二級靈敏放大器SSA工作時，第二級靈敏放大器SSA的均衡信號線RE_N已經關閉了數據總線的正信號線MDQ/數據總線的負信號線MDQ_N與第二級靈敏放大器SSA的正輸入信號線MA/第二級靈敏放大器SSA的負輸入信號線MA_N之間的開關，所以可以說當第二級靈敏放大器SSA工作時，數據總線的正信號線MDQ/數據總線的負信號線MDQ_N已經與第二級靈敏放大器SSA沒有任何關系，即如圖4中所示的t1這段時間內，數據總線的正信號線MDQ/數據總線的負信號線MDQ_N已經與第二級靈敏放大器SSA沒有任何關系。列選擇信號線CSL的列選擇信號依舊為高，位線和局部數據線之間的開關依舊被打開，局部數據線和總數據線之間的開關也處于打開狀態，所以第一級靈敏放大器SA依舊在驅動數據總線的正信號線MDQ/數據總線的負信號線MDQ_N，但是數據總線的正信號線MDQ/數據總線的負信號線MDQ_N已經與第二級靈敏放大器SSA的正輸入信號線MA/第二級靈敏放大器SSA的負輸入信號線MA_N斷開，對于第二級靈敏放大器SSA來說數據總線的正信號線MDQ/數據總線的負信號線MDQ_N已經沒有任何關系，這樣就造成了耗電的浪費，因為數據總線的正信號線MDQ/數據總線的負信號線MDQ_N已經不需要被第一級靈敏放大器SA驅動了。所以盡量減少t1的時間就會達到省電的目的。?

【實用新型內容】

本實用新型提供一種動態存儲器的列選擇信號驅動電路，解決動態存儲器讀操作時的電能浪費問題，以有效減少動態存儲器的功耗。?

為了實現上述目的，本實用新型采用如下技術方案：?