[實用新型]發(fā)光組件基板以及發(fā)光組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320131795.0 | 申請日： | 2013-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN203150609U | 公開（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃永發(fā) | 申請（專利權(quán)）人： | 德晶科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張大威 |
| 地址： | 中國臺灣臺北市大安*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 組件 以及 | ||
1.一種發(fā)光組件基板，其特征在于，包括藍(lán)寶石基材，所述藍(lán)寶石基材包括由多個圓錐體所構(gòu)成的表面，其中各個圓錐體的高度介于0.6μm至1.6μm之間，各個圓錐體的直徑介于0.6μm至1.6μm之間，相鄰兩個圓錐體頂點間的距離介于1.7μm至2.3μm之間。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件基板，其特征在于，所述發(fā)光組件基板的半徑為2英寸、4英寸、6英寸、8英寸或12英寸。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件基板，其特征在于，各個圓錐體底部的底角介于為40°至80°之間。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件基板，其特征在于，所述多個圓錐體在所述藍(lán)寶石基材上均勻分布。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光組件基板，其特征在于，所述多個圓錐體彼此不接觸。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件基板，其特征在于，各個圓錐體的頂點至所述圓錐體底部任一點之間的連線上的任一點的切線與通過所述連線上任一點的水平線的夾角與所述圓錐體底部任一點的另一切線和所述藍(lán)寶石基材的水平表面形成的底角的差小于10°。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件基板，其特征在于，相鄰兩個圓錐體底部間的距離介于0.4μm至1.4μm之間。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件基板，其特征在于，還包括覆蓋在所述藍(lán)寶石基材上方的一層中介層。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件基板，其特征在于，還包括氮化鋁形成的中介層。
10.一種發(fā)光組件，其特征在于，包含:
藍(lán)寶石基材，包括由多個圓錐體所構(gòu)成的表面，其中各個圓錐體的高度介于0.6μm至1.6μm之間，各個圓錐體的直徑介于0.6μm至1.6μm之間，相鄰兩個圓錐體頂點間的距離介于1.7μm至2.3μm之間；
第一半導(dǎo)體層，配置在所述藍(lán)寶石基材上；
發(fā)光層，配置在所述第一半導(dǎo)體層上；
第二半導(dǎo)體層，配置在所述發(fā)光層上；
第一奧姆電極，接觸所述第一半導(dǎo)體層；以及
第二奧姆電極，接觸所述第二半導(dǎo)體層。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光組件，其特征在于，各個圓錐體底部的底角介于40°至80°之間。
12.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光組件，其特征在于，所述多個圓錐體在所述藍(lán)寶石基材上均勻分布。
13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光組件，其特征在于，所述多個圓錐體彼此不接觸。
14.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光組件，其特征在于，各個圓錐體的頂點至所述圓錐體底部任一點之間的連線上的任一點的切線與通過所述連線上任一點的水平線的夾角與所述圓錐體底部任一點的另一切線和所述藍(lán)寶石基材的水平表面形成的底角的差小于10°。
15.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光組件，其特征在于，相鄰兩個圓錐體底部間的距離介于0.4μm至1.4μm之間。
16.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光組件，其特征在于，還包括一層中介層，所述中介層配置在所述藍(lán)寶石基材與所述第一半導(dǎo)體層之間。
17.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光組件，其特征在于，還包括氮化鋁形成的中介層。
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