[實用新型]薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201320129179.1
• 申請日: 2013-03-20
• 公開（公告）號: CN203179896U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 陳海晶;王東方;姜春生
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種薄膜晶體管，包括源極、漏極、半導體層、柵極、柵極絕緣層，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

設于所述半導體層表面的、相互間隔的源極導電層和漏極導電層，所述源極導電層與源極相連，所述漏極導電層與漏極相連；且所述源極導電層與漏極導電層間的最短距離小于所述源極與漏極間的最短距離。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述源極導電層、漏極導電層、柵極絕緣層均形成在所述半導體層上，所述柵極形成在所述柵極絕緣層上；

且，所述薄膜晶體管還包括：

覆蓋所述半導體層、源極導電層、漏極導電層、柵極、柵極絕緣層的保護層，所述源極和漏極通過保護層中的過孔分別與源極導電層和漏極導電層相連。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述半導體層上表面未被所述柵極絕緣層覆蓋的部分被柵極絕緣層分割為獨立的源極區和漏極區，所述源極導電層和漏極導電層分別覆蓋所述源極區和漏極區。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述半導體層為金屬氧化物半導體層；

所述源極導電層和漏極導電層是通過化學鍍工藝形成的。

5.根據權利要求1至3中任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述半導體層為金屬氧化物半導體層、非晶硅半導體層、多晶硅半導體層、有機半導體層中的任意一種。

6.根據權利要求1至4中任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述源極導電層和漏極導電層由鉬、銅、鋁、鎢中的至少一種金屬制成。

7.根據權利要求1至4中任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述源極導電層由至少兩個相互重疊的子源極導電層構成；

和/或

所述漏極導電層由至少兩個相互重疊的子漏極導電層構成。

8.一種陣列基板，其特征在于，包括：

權利要求1至7中任意一項所述的薄膜晶體管。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括：

權利要求8所述的陣列基板。