[實用新型]一種發光二極管電極結構

有效

• 申請號: 201320125952.7
• 申請日: 2013-03-20
• 公開（公告）號: CN203300688U
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 廖豐標
• 申請（專利權）人: 江蘇揚景光電有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型屬于發光二極管制造技術領域，具體涉及一種發光二極管電極結構及其制造工藝。

背景技術

發光二極管由于具備有壽命長、體積小、發熱量低、耗電量少、反應速度快、無幅射及單色性發光之特性及優點，因此被廣泛應用于指示燈、廣告廣告牌、交通號志燈、汽車車燈、顯示器面板、通訊器具、消費電子等各項產品中。

現有技術中的發光二極管結構如圖2所示，主要由n電極層、發光組件、p電極層和p焊盤層構成，其中P電極結構只包括p電極層和p焊盤，由于p電極層和p焊盤在生產時是分開來制造，這樣就會造成對準誤差，增加產品的不良率。

發明內容

實用新型目的：本實用新型的目的是為了解決現有技術中的不足，提供一種可提高生產效率且降低產品不良率的發光二極管電極結構及其制造工藝。

技術方案：本實用新型所述的一種發光二極管電極結構，包括發光組件，所述發光組件下方設有n電極層，所述發光組件上方設有p電極層，所述p電極層上方設有p焊盤，所述p電極層與p焊盤之間設有阻障層。

作為優選，所述阻障層的厚度為0.1～1μm。

作為優選，所述阻障層采用鈦、鎢、鉭、鉬上述材料的合金阻障層、或上述材料的硅化合物阻障層、氮化合物阻障層或硅氮化合物阻障層。

作為優選，所述p電極層為金鋅合金電極、金鈹合金電極或鈦鉑合金電極。

作為優選，所述p焊盤為鈦和鋁的合金電極、鈦和金的合金電極或鈦、鋁和金的合金電極，所述p焊盤的總厚度為0.5~3.0μm。

有益效果：本實用新型在現有發光二極管P電極結構中的p電極層與焊盤之間增加了阻障層，減小了對準的誤差，使得p電極層、阻障層與p焊盤完全對齊，因此提高了生產效率且降低了產品的不良率。

附圖說明

圖1為本實用新型一個實施例的結構示意圖。

圖2為現有技術中發光二極管的結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示的一種發光二極管電極結構，包括發光組件2，發光組件2下方設有n電極層1，發光組件2上方設有p電極層3，p電極層3上方設有p焊盤5，p電極層3與p焊盤5之間設有阻障層4，阻障層4的厚度為0.1～1μm，阻障層4采用鈦、鎢、鉭、鉬上述材料的合金阻障層，例如TiW、TaW，或上述材料的硅化合物、氮化合物或硅氮化合物，例如TiN、WN、TaN、TaSiN、WSiN、TWN，p電極層3為金鋅合金、金鈹合金或鈦鉑合金材料，p焊盤5為鈦和鋁的合金、鈦和金的合金或鈦、鋁和金的合金材料，p焊盤5的總厚度為0.5~3.0μm。這種發光二極管電極結構包括三種不同的生產工藝，第一種工藝包括如下步驟：

（1）在半導體迭層的窗口層上沉積p電極層材料；

（2）在p電極層上沉積阻障層材料；

（3）微影：在透光襯底的一個表面涂布感光材料；在該表面的上方放置光罩，該光罩上設有與所述圖案相同的圖案；曝光：使平行光經過光罩對感光材料進行選擇性的曝光，使光罩的圖案完整的轉移至透光襯底的表面上；顯影，使感光材料獲得與光罩圖案相同或互補的圖案；

（4）在阻障層上沉積p焊盤材料；

（5）使用托舉(Lift-off)制程,?定義p焊盤圖案；

（6）干式蝕刻：以p焊盤材料為硬屏蔽(hard?mask)進行干式蝕刻，使得P電極結構產生一個與光罩圖案相同或互補的圖案；

（7）進行退火工序以得到奧姆接觸：退火的工序在300-550℃的爐管中10秒至3分鐘或快速熱退火爐1秒至1分鐘中執行。

第二種工藝包括如下步驟：

（1）在半導體迭層的窗口層上沉積p電極層材料；

（2）在p電極層上沉積阻障層材料；

（3）在阻障層上沉積p焊盤材料；

（4）微影：在透光襯底的一個表面涂布感光材料；在該表面的上方放置光罩，該光罩上設有與所述圖案相同的圖案；曝光：使平行光經過光罩對感光材料進行選擇性的曝光，使光罩的圖案完整的轉移至透光襯底的表面上；顯影，使感光材料獲得與光罩圖案相同或互補的圖案；

（5）干式蝕刻：對所述感光材料進行干式蝕刻，使得所述P電極結構產生一個與光罩圖案相同或互補的圖案；

（6）進行退火工序以得到奧姆接觸：退火的工序在300-550℃的爐管中10秒至3分鐘或快速熱退火爐1秒至1分鐘中執行。

第三種工藝包括如下步驟：