[實用新型]一種發(fā)光二極管電極結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320125952.7 | 申請日: | 2013-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN203300688U | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 廖豐標 | 申請(專利權)人: | 江蘇揚景光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/38 | 分類號: | H01L33/38 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發(fā)光二極管 電極 結構 | ||
技術領域
本實用新型屬于發(fā)光二極管制造技術領域,具體涉及一種發(fā)光二極管電極結構及其制造工藝。
背景技術
發(fā)光二極管由于具備有壽命長、體積小、發(fā)熱量低、耗電量少、反應速度快、無幅射及單色性發(fā)光之特性及優(yōu)點,因此被廣泛應用于指示燈、廣告廣告牌、交通號志燈、汽車車燈、顯示器面板、通訊器具、消費電子等各項產品中。
現有技術中的發(fā)光二極管結構如圖2所示,主要由n電極層、發(fā)光組件、p電極層和p焊盤層構成,其中P電極結構只包括p電極層和p焊盤,由于p電極層和p焊盤在生產時是分開來制造,這樣就會造成對準誤差,增加產品的不良率。
發(fā)明內容
實用新型目的:本實用新型的目的是為了解決現有技術中的不足,提供一種可提高生產效率且降低產品不良率的發(fā)光二極管電極結構及其制造工藝。
技術方案:本實用新型所述的一種發(fā)光二極管電極結構,包括發(fā)光組件,所述發(fā)光組件下方設有n電極層,所述發(fā)光組件上方設有p電極層,所述p電極層上方設有p焊盤,所述p電極層與p焊盤之間設有阻障層。
作為優(yōu)選,所述阻障層的厚度為0.1~1μm。
作為優(yōu)選,所述阻障層采用鈦、鎢、鉭、鉬上述材料的合金阻障層、或上述材料的硅化合物阻障層、氮化合物阻障層或硅氮化合物阻障層。
作為優(yōu)選,所述p電極層為金鋅合金電極、金鈹合金電極或鈦鉑合金電極。
作為優(yōu)選,所述p焊盤為鈦和鋁的合金電極、鈦和金的合金電極或鈦、鋁和金的合金電極,所述p焊盤的總厚度為0.5~3.0μm。
有益效果:本實用新型在現有發(fā)光二極管P電極結構中的p電極層與焊盤之間增加了阻障層,減小了對準的誤差,使得p電極層、阻障層與p焊盤完全對齊,因此提高了生產效率且降低了產品的不良率。
附圖說明
圖1為本實用新型一個實施例的結構示意圖。
圖2為現有技術中發(fā)光二極管的結構示意圖。
具體實施方式
如圖1所示的一種發(fā)光二極管電極結構,包括發(fā)光組件2,發(fā)光組件2下方設有n電極層1,發(fā)光組件2上方設有p電極層3,p電極層3上方設有p焊盤5,p電極層3與p焊盤5之間設有阻障層4,阻障層4的厚度為0.1~1μm,阻障層4采用鈦、鎢、鉭、鉬上述材料的合金阻障層,例如TiW、TaW,或上述材料的硅化合物、氮化合物或硅氮化合物,例如TiN、WN、TaN、TaSiN、WSiN、TWN,p電極層3為金鋅合金、金鈹合金或鈦鉑合金材料,p焊盤5為鈦和鋁的合金、鈦和金的合金或鈦、鋁和金的合金材料,p焊盤5的總厚度為0.5~3.0μm。這種發(fā)光二極管電極結構包括三種不同的生產工藝,第一種工藝包括如下步驟:
(1)在半導體迭層的窗口層上沉積p電極層材料;
(2)在p電極層上沉積阻障層材料;
(3)微影:在透光襯底的一個表面涂布感光材料;在該表面的上方放置光罩,該光罩上設有與所述圖案相同的圖案;曝光:使平行光經過光罩對感光材料進行選擇性的曝光,使光罩的圖案完整的轉移至透光襯底的表面上;顯影,使感光材料獲得與光罩圖案相同或互補的圖案;
(4)在阻障層上沉積p焊盤材料;
(5)使用托舉(Lift-off)制程,?定義p焊盤圖案;
(6)干式蝕刻:以p焊盤材料為硬屏蔽(hard?mask)進行干式蝕刻,使得P電極結構產生一個與光罩圖案相同或互補的圖案;
(7)進行退火工序以得到奧姆接觸:退火的工序在300-550℃的爐管中10秒至3分鐘或快速熱退火爐1秒至1分鐘中執(zhí)行。
第二種工藝包括如下步驟:
(1)在半導體迭層的窗口層上沉積p電極層材料;
(2)在p電極層上沉積阻障層材料;
(3)在阻障層上沉積p焊盤材料;
(4)微影:在透光襯底的一個表面涂布感光材料;在該表面的上方放置光罩,該光罩上設有與所述圖案相同的圖案;曝光:使平行光經過光罩對感光材料進行選擇性的曝光,使光罩的圖案完整的轉移至透光襯底的表面上;顯影,使感光材料獲得與光罩圖案相同或互補的圖案;
(5)干式蝕刻:對所述感光材料進行干式蝕刻,使得所述P電極結構產生一個與光罩圖案相同或互補的圖案;
(6)進行退火工序以得到奧姆接觸:退火的工序在300-550℃的爐管中10秒至3分鐘或快速熱退火爐1秒至1分鐘中執(zhí)行。
第三種工藝包括如下步驟:
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