[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201320118464.3
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN203242637U
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: R.西米尼克;F.希爾勒;O.布蘭克
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曲寶壯;李浩

1.一種半導體器件，包括：

第一導電類型的漂移層(4)；

在所述漂移層(4)上的第二導電類型的體區(7)；

在所述體區(7)上的第一導電類型的源區(8)；

穿過源區(8)、體區(7)延伸進入漂移層(4)的溝槽結構（9），所述溝槽結構包括至少一個柵電極(12)和絕緣結構(10)，其中，所述絕緣結構(10)的一部分在體區(7)下面延伸，

其中，所述漂移層(4)、源區(8)和體區(7)中的至少一個包括缺陷化的半導體材料。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述溝槽結構（9）還包括場板(13)，其中所述絕緣結構(10)將場板(13)與柵電極(12)彼此絕緣，并且將場板(13)和柵電極(12)與漂移層(4)、體區(7)以及源區(8)絕緣。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括用于將所述源區(8)連接到源金屬層(22)的接觸插塞(21)。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，在相鄰溝槽之間限定臺面區，所述臺面區包括所述源區(8)、體區(7)以及臺面漂移區，所述臺面漂移區是夾在相鄰溝槽之間的漂移層(4)的部分。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述接觸插塞(21)包括缺陷化的半導體材料。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述缺陷化的半導體材料包括金屬元素。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括在所述體區(7)中的第二導電類型的重摻雜區(5)。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，進一步包括用于將所述源區(8)連接到源金屬層(22)的接觸插塞(21)，所述接觸插塞(21)還接觸所述體區和所述重摻雜區(5)。

9.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述溝槽結構比所述臺面區更寬。

10.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述源區和體區比所述臺面漂移區更寬。

11.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述源區和體區比所述臺面漂移區寬至少絕緣結構的平均寬度的75%。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述源區和體區比所述臺面漂移區寬不超過絕緣結構的平均寬度的100%。

13.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述金屬元素是鉑、金、鉑、鈀、釩或銥。

14.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述場板(13)被電耦合到源金屬層。

15.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述場板被電耦合到所述柵電極。

16.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述接觸插塞(21)是多晶硅插塞或金屬插塞。