[實用新型]半導體部件、垂直MOSFET、IGBT結構和集成半導體器件

有效

• 申請號: 201320118299.1
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN203242627U
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: M.菲萊邁耶;W.佩因霍普夫
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L29/739
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬麗娜;李浩

1.一種半導體部件，該半導體部件包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底中的溝槽，所述溝槽由上溝槽部分和下溝槽部分構成，其中上溝槽部分比下溝槽部分窄；

位于所述溝槽中的柵電極；以及

位于所述溝槽中并在所述柵電極和所述溝槽的底部之間延伸的源電極，

其特征在于，所述源電極的寬度小于350?nm。

2.根據權利要求1所述的半導體部件，其特征在于，所述半導體襯底包括第一導電類型的漂移區和在所述漂移區之上的第二導電類型的體區。

3.根據權利要求2所述的半導體部件，其特征在于，所述溝槽的上溝槽部分與下溝槽部分之間的過渡區在所述漂移區與所述體區之間的界面下方。

4.一種垂直MOSFET，所述垂直MOSFET包括：

第一導電類型的漏區；

位于所述漏區之上的第一導電類型的漂移區；

位于所述漂移區之上的第二導電類型的體區；

位于所述體區之上的第一導電類型的源區；

從所述源區的上表面嵌入在所述源區、所述體區、所述漂移區中的溝槽，所述溝槽的底表面位于所述漂移區中，所述溝槽由上溝槽部分和下溝槽部分構成，其中上溝槽部分比下溝槽部分窄；

位于所述溝槽中的柵電極；以及

位于所述溝槽中并在所述柵電極和所述溝槽的底部之間延伸的源電極，

其特征在于，所述源電極的寬度小于350?nm。

5.根據權利要求4所述的垂直MOSFET，其特征在于，所述溝槽的上溝槽部分與下溝槽部分之間的過渡區在所述漂移區與所述體區之間的界面下方。

6.根據權利要求4或5所述的垂直MOSFET，其特征在于，所述垂直MOSFET進一步包括位于所述源區之上的源電極和位于所述漏區下面的漏電極，其中所述源電極被電連接到位于所述源區之上的所述源電極。

7.一種IGBT結構，該IGBT結構包括：

第一導電類型的集電極區；

位于所述集電極區之上的第二導電類型的緩沖區；

位于所述緩沖區之上的第二導電類型的漂移區；

位于所述漂移區之上的第一導電類型的基極區；

位于所述基極區之上的第二導電類型的發射極區；

從所述發射極區的上表面嵌入在所述發射極區、所述基極區、所述漂移區中的溝槽，所述溝槽的底表面位于所述漂移區中，所述溝槽由上溝槽部分和下溝槽部分構成，其中上溝槽部分比下溝槽部分窄；

位于所述溝槽中的柵電極；以及

位于所述溝槽中并在所述柵電極和所述溝槽的底部之間延伸的源電極，

其特征在于，所述源電極的寬度小于350?nm。

8.根據權利要求7所述的IGBT結構，其特征在于，所述溝槽的上溝槽部分與下溝槽部分之間的過渡區在所述漂移區與所述基極區之間的界面下方。

9.根據權利要求7或8所述的IGBT結構，其特征在于，所述IGBT結構還包括位于所述發射極區之上的發射極電極和位于所述集電極區下面的集電極電極，其中位于所述溝槽中的源電極被電連接到位于所述發射極區之上的發射極電極。

10.一種集成半導體器件，所述集成半導體器件包括多個半導體部件單元，每個半導體部件單元包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底中的溝槽，所述溝槽由上溝槽部分和下溝槽部分構成，其中上溝槽部分比下溝槽部分窄；

位于所述溝槽中的柵電極；以及

位于所述溝槽中并在所述柵電極和所述溝槽的底部之間延伸的源電極，

其特征在于，所述源電極的寬度小于350?nm。

11.根據權利要求10所述的集成半導體器件，其特征在于，每個半導體部件單元中的半導體襯底還包括第一導電類型的漂移區和在所述漂移區之上的第二導電類型的體區，其中所述溝槽的上溝槽部分與下溝槽部分之間的過渡區在所述漂移區與所述體區之間的界面下方。