[實用新型]半導(dǎo)體部件、垂直MOSFET、IGBT結(jié)構(gòu)和集成半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320118252.5
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN203242628U
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M.維萊邁耶;O.布蘭克
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L27/08
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬麗娜;李浩

1.?一種半導(dǎo)體部件，該半導(dǎo)體部件包括：

半導(dǎo)體襯底；

位于所述半導(dǎo)體襯底中的溝槽，所述溝槽由上溝槽部分和下溝槽部分構(gòu)成，其中上溝槽部分比下溝槽部分窄；

位于所述溝槽中的柵電極，

其特征在于，所述柵電極的上表面的平面度小于或等于50nm。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體部件，其特征在于，所述柵電極的上表面的平面度小于或等于30nm。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體部件，其特征在于，所述半導(dǎo)體部件還包括位于所述溝槽中并在所述柵電極和所述溝槽的底部之間延伸的源電極。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體部件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底包括第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)和在所述漂移區(qū)之上的第二導(dǎo)電類型的體區(qū)。

5.?根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體部件，其特征在于，所述溝槽的上溝槽部分與下溝槽部分之間的過渡區(qū)在所述漂移區(qū)與所述體區(qū)之間的界面下方。

6.?一種垂直MOSFET，所述垂直MOSFET包括：

第一導(dǎo)電類型的漏區(qū)；

位于所述漏區(qū)之上的第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)；

位于所述漂移區(qū)之上的第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；

位于所述體區(qū)之上的第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；

從所述源區(qū)的上表面嵌入在所述源區(qū)、所述體區(qū)、所述漂移區(qū)中的溝槽，所述溝槽的底表面位于所述漂移區(qū)中，所述溝槽由上溝槽部分和下溝槽部分構(gòu)成，其中上溝槽部分比下溝槽部分窄；

位于所述溝槽中的柵電極，

其特征在于，所述柵電極的上表面的平面度小于或等于50nm。

7.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的垂直MOSFET，其特征在于，所述柵電極的上表面的平面度小于或等于30nm。

8.?根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的垂直MOSFET，其特征在于，所述溝槽的上溝槽部分與下溝槽部分之間的過渡區(qū)在所述漂移區(qū)與所述體區(qū)之間的界面下方。

9.?根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的垂直MOSFET，其特征在于，所述垂直MOSFET還包括位于所述溝槽中并在所述柵電極和所述溝槽的底部之間延伸的源電極。

10.?根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直MOSFET，其特征在于，所述垂直MOSFET進一步包括位于所述源區(qū)之上的源電極和位于所述漏區(qū)下面的漏電極，其中位于所述溝槽中的所述源電極被電連接到位于所述源區(qū)之上的所述源電極。

11.?一種IGBT結(jié)構(gòu)，該IGBT結(jié)構(gòu)包括：

第一導(dǎo)電類型的集電極區(qū)；

位于所述發(fā)射極區(qū)之上的第二導(dǎo)電類型的緩沖區(qū)；

位于所述緩沖區(qū)之上的第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)；

位于所述漂移區(qū)之上的第一導(dǎo)電類型的基極區(qū)；

位于所述基極區(qū)之上的第二導(dǎo)電類型的發(fā)射極區(qū)；

從所述發(fā)射極區(qū)的上表面嵌入在所述發(fā)射極區(qū)、所述基極區(qū)、所述漂移區(qū)中的溝槽，所述溝槽的底表面位于所述漂移區(qū)中，所述溝槽由上溝槽部分和下溝槽部分構(gòu)成，其中上溝槽部分比下溝槽部分窄；

位于所述溝槽中的柵電極，

其特征在于，所述柵電極的上表面的平面度小于或等于50nm。

12.?根據(jù)權(quán)利要求11所述的IGBT結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵電極的上表面的平面度小于或等于30nm。

13.?根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的IGBT結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽的上溝槽部分與下溝槽部分之間的過渡區(qū)在所述漂移區(qū)與所述基極區(qū)之間的界面下方。

14.?根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的IGBT結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述IGBT結(jié)構(gòu)還包括位于所述溝槽中并在所述柵電極和所述溝槽的底部之間延伸的源電極。

15.?根據(jù)權(quán)利要求14所述的IGBT結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述IGBT結(jié)構(gòu)還包括位于所述發(fā)射極區(qū)之上的發(fā)射極電極和位于所述集電極區(qū)下面的集電極電極，其中位于所述溝槽中的源電極被電連接到位于所述發(fā)射極區(qū)之上的發(fā)射極電極。